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Precise measurements with high spatial resolution for optimized violet-blue GaN laser diodes
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GaN-based lasers emitting in the blue and violet spectral range still show – compared to lasers in the infrared spectral range – a lower optical output power and a lower efficiency. For the first…
Nobelpreis ist Anerkennung für beharrliche Ingenieursarbeit
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Interview mit Prof. Markus Weyers, Halbleiterspezialist und Leiter der Abteilung Materialtechnologie am FBH zum diesjährigen Nobelpreis für Physik und weiterführende Arbeiten auf dem Gebiet der…
Mit pfiffigen Tricks auf dem Weg zum perfekten Kristall
/en/media-center/press-releases/mit-pfiffigen-tricks-auf-dem-weg-zum-perfekten-kristall
UV-B-Diodenlaser hätten wichtige Einsatzbereiche in der Medizin, in der Mikroelektronik oder Drucktechnik. Hätten, denn es gibt sie noch nicht. Wie solch ein Diodenlaser für kurzwellige Strahlung…
Mädchen-Technik-Kongress: Licht ins Dunkel!
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It's all about light and light-based technologies on the 5th Mädchen-Technik-Kongress on October 10, 2014.
Recent achievements in oxide films for large area oxide electronic applications
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Prof. Dr. Bernd Szyszka TU Berlin, Fachgebiet Technologie für Dünnschicht-Bauelemente, PVcomB & Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik IST
InP transistors with improved thermal resistance due to integrated diamond heatsink
/en/research/research-news/inp-transistors-with-improved-thermal-resistance-due-to-integrated-diamond-heatsink
InP double hetero bipolar transistors (DHBTs) offer the highest output powers available for integrated circuits in the range from 100 GHz to 500 GHz. High output power requires a low…
Betriebliche Qualifizierung im Cluster Optik
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This event introduces the project "in-company training in optics".
Narrowband GaN-based diode laser system for the generation of DUV laser light for Raman spectroscopy
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At the FBH, a GaN-based high-power diode laser system with an optical output power of 400 mW and narrowband emission at 445 nm has been realized for the first time. By using an external…
Rauscheigenschaften von 808 nm-Lasern mit und ohne externe Rückkopplung
/en/research/research-news/rauscheigenschaften-von-808-nm-lasern-mit-und-ohne-externe-rueckkopplung
Dr. Karl HäuslerFerdinand-Braun-Institut, Berlin
560 nm Laser-Mikromodule
/en/research/research-news/560-nm-laser-mikromodule
Roland Bege, Julian HofmannFerdinand-Braun-Institut, Berlin