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Girls'Day - Ein Tag als Mikrotechnologin
/termine/girlsday
Mikrochips machen uns das Leben leichter. Und dabei merken wir das meistens gar nicht. Sie stecken in jedem Mobiltelefon, in der Supermarktkasse oder helfen beim Einparken. Neugierig geworden?
Weltweit erster Linienscanner mit monolithisch-integrierten Terahertz-Detektoren für industrielle Anwendungen
/media-center/presseinformationen/weltweit-erster-linienscanner-mit-monolithisch-integrierten-terahertz-detektoren-fuer-industrielle-anwendungen
Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen Terahertz-Linienscanner für Kunststoff-Bauteile entwickelt, mit dem sich auch größere Scanlinienlängen im industriellen Umfeld kostengünstig realisieren lassen.
FBH-Paper unter den Top Downloads
/media-center/presseinformationen/fbh-paper-unter-den-top-downloads
Die Publikation "Portable shifted excitation Raman difference spectroscopy for on-site soil analysis" der Autoren Martin Maiwald, Kay Sowoidnich und Bernd Sumpf zählt nicht nur zu den 10% der Top Down
UV LEDs go micro
/media-center/medienschau/uv-leds-go-micro
Many applications can be served by the UV LED, including disinfection, sensing, and material processing. For this class of device, sources emitting within the far-UVC at wavelengths below 240 nm are a
Chip-integrated solution based on diamond NV centers – enabling compact magnetic field cameras with simplified measuring principle
/forschung/forschungsnews/chip-integrated-solution-based-on-diamond-nv-centers-enabling-compact-magnetic-field-cameras-with-simplified-measuring-principle
Imaging weak magnetic fields as produced by electric pulses that propagate through nerves requires complex and expensive devices. With our on-chip multi-pixel sensor, we have developed a novel paradig
Defects, performance and reliability in UV-C LEDs
/forschung/publikationen/defects-performance-and-reliability-in-uv-c-leds
Defects, performance and reliability in UV-C LEDs M. Meneghini1,2, N. Roccato1, F. Piva1, M. Pilati1, C. De Santi1, M. Buffolo1, N. Susilo3, D. Hauer
Optical Gain in AlGaN Quantum Wells: Impact of Higher Energy States
/forschung/publikationen/optical-gain-in-algan-quantum-wells-impact-of-higher-energy-states
Simulations of optical gain in aluminum gallium nitride (AlGaN) quantum wells are extended to the high charge carrier density regime required for achieving gain at 275 nm for UV laser diodes. Cou
Prahler, Boaster, Banner, Infobox, Kontaktbox
/styleguide/exponate-banner-info-und-kontaktbox
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Download, Interaktiv, Sonstiges
/styleguide/download-interaktiv-sonstiges
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Text, Bild, Akkordeon
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