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Möglichkeit zur „technologischen Souveränität“ durch Aluminiumnitrid-Leistungshalbleiter
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Eine Forschungspartnerschaft hält eine deutsche Wertschöpfungskette vom Grundmaterial bis zur Bauelementefertigung für machbar. Das Material sei den zum Beispiel auch in Photovoltaik-Wechselrichtern g
Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid – made in Germany
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Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter - vom Grundmaterial bis zur Bauelementfertigung.
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
/media-center/medienschau/neuer-halbleiter-besser-als-sic-und-gan
Eine neue, auf Aluminiumnitrid (AlN) basierende Halbleitertechnologie für leistungselektronische Transistoren und mmWellen-Hochfrequenzschaltungen hat das Potenzial, die Verluste bei der Umwandlung vo
Barrierefreiheit
/barrierefreiheit
Barrierefreiheitserklärung Öffentliche Stelle / Geltungsbereich Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) Wir bemühen uns, unseren Webauftritt barrierefrei
Photonics Days 2024
/termine/photonics-days-2024
Das FBH präsentiert bei den Photonic Days Berlin Brandenburg neueste Forschungsergebnisse.
German researchers demo practical implementation of AlN-based value chain for power semiconductors
/media-center/medienschau/german-researchers-demo-practical-implementation-of-aln-based-value-chain-for-power-semiconductors
In power electronics, conventional silicon devices are being replaced by more powerful wide-bandgap (WBG) semiconductors with superior physical and electrical properties. Silicon carbide (SiC) has alr
Adlershofer FBH im Team für neuartiges Halbleitermaterial
/media-center/medienschau/adlershofer-fbh-im-team-fuer-neuartiges-halbleitermaterial
"Made in Germany": Forschungspartner demonstrieren erstmals praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter
German research cluster announces AlN success
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A new semiconductor technology based on AlN for power electronic transistors as well as mmWave radio-frequency circuits has the potential to significantly reduce losses in electrical energy conversion
German research cluster announces AlN success
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A new semiconductor technology based on AlN for power electronic transistors as well as mmWave radio-frequency circuits has the potential to significantly reduce losses in electrical energy conversion
Prozesskette für Aluminiumnitrid-Bauelemente geschaffen
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Aluminiumnitrid (AlN) ist vielen noch nicht so bekannt, wie beispielsweise Galliumnitrid oder Siliziumkarbid. Die Eigenschaften sind jedoch hervorragend. Eine breite Bandlücke von 6,2 eV, eine sehr ho