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Collaborative Conference on Crystal Growth
/en/events/collaborative-conference-on-crystal-growth
FBH presents an invited lecture at the Collaborative Conference on Crystal Growth
Atom interferometry – fundamentals and applications
/en/events/atom-interferometry-fundamentals-and-applications
Wojciech Lewoczko-AdamczykFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Kathodenzerstäubung bei Atmosphärendruck
/en/events/kathodenzerstaeubung-bei-atmosphaerendruck
Dr. Roland GescheFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Entwicklungszentrum für Prototypen – ein Instrument zur Verwertung von Forschungsergebnissen
/en/events/entwicklungszentrum-fuer-prototypen-ein-instrument-zur-verwertung-von-forschungsergebnissen
Ulrike WinklerFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Precise measurements with high spatial resolution for optimized violet-blue GaN laser diodes
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GaN-based lasers emitting in the blue and violet spectral range still show – compared to lasers in the infrared spectral range – a lower optical output power and a lower efficiency. For the first…
Nobelpreis ist Anerkennung für beharrliche Ingenieursarbeit
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Interview mit Prof. Markus Weyers, Halbleiterspezialist und Leiter der Abteilung Materialtechnologie am FBH zum diesjährigen Nobelpreis für Physik und weiterführende Arbeiten auf dem Gebiet der…
Mit pfiffigen Tricks auf dem Weg zum perfekten Kristall
/en/media-center/press-releases/mit-pfiffigen-tricks-auf-dem-weg-zum-perfekten-kristall
UV-B-Diodenlaser hätten wichtige Einsatzbereiche in der Medizin, in der Mikroelektronik oder Drucktechnik. Hätten, denn es gibt sie noch nicht. Wie solch ein Diodenlaser für kurzwellige Strahlung…
Mädchen-Technik-Kongress: Licht ins Dunkel!
/en/media-center/press-releases/maedchen-technik-kongress-licht-ins-dunkel
It's all about light and light-based technologies on the 5th Mädchen-Technik-Kongress on October 10, 2014.
Recent achievements in oxide films for large area oxide electronic applications
/en/media-center/press-releases/recent-achievements-in-oxide-films-for-large-area-oxide-electronic-applications
Prof. Dr. Bernd Szyszka TU Berlin, Fachgebiet Technologie für Dünnschicht-Bauelemente, PVcomB & Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik IST
InP transistors with improved thermal resistance due to integrated diamond heatsink
/en/research/research-news/inp-transistors-with-improved-thermal-resistance-due-to-integrated-diamond-heatsink
InP double hetero bipolar transistors (DHBTs) offer the highest output powers available for integrated circuits in the range from 100 GHz to 500 GHz. High output power requires a low…