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Search results 3931 until 3940 of 4181

Neue Niederlassung für Laserdioden

/en/media-center/media-review/neue-niederlassung-fuer-laserdioden

Neue Niederlassung für Laserdioden Am 1. Oktober eröffnete der Laserhersteller TRUMPF eine neue Niederlassung für die Vorausentwicklung von Laserdioden in Berlin. In räumlicher Nähe und in…

Hohe Impulsliefer-Energien erreichen

/en/media-center/media-review/hohe-impulsliefer-energien-erreichen

Modul mit 6 kW Lichtleistung basiert auf besonders effizienten, leistungsstarken 940 nm QCW-Diodenlasern aus dem FBH.

Entwicklung von brillanten Breitstreifenlasern für optisches und spektrales Multiplexing

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Entwicklung von brillanten Breitstreifenlasern für optisches und spektrales Multiplexing Jonathan DeckerFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Mikro-integriertes Diodenlasersystem für eine Aluminium-Ionen Quantenlogik-Uhr

/en/media-center/media-review/mikro-integriertes-diodenlasersystem-fuer-eine-aluminium-ionen-quantenlogik-uhr

Mikro-integriertes Diodenlasersystem für eine Aluminium-Ionen Quantenlogik-Uhr Mandy KrügerFerdinand-Braun-Institut, Berlin

FBH at Photonics West

/en/events/fbh-at-photonics-west

FBH is comprehensively represented at the world's leading conference for optics and photonics and presents its research results.

Competitive devices – UV-C LEDs with high injection efficiency

/en/research/research-news/competitive-devices-uv-c-leds-with-high-injection-efficiency

UV-C radiation with a wavelength in the range of 260 – 280 nm is of great interest for many applications including water disinfection, materials processing, and medical technology.…

Trumpf eröffnet eine Niederlassung für Laserdioden

/en/media-center/media-review/trumpf-eroeffnet-eine-niederlassung-fuer-laserdioden

Trumpf eröffnet eine Niederlassung für Laserdioden Enge Zusammenarbeit mit dem Ferdinand-Braun-InstitutArticle in German, not online

FBH at the CS International Conference

/en/events/fbh-at-the-cs-international-conference

FBH presents two lectures at the Compound Semiconductor Conference

Carbon tetrabromide-based in situ etching of GaAs improved by TMAl

/en/research/research-news/carbon-tetrabromide-based-in-situ-etching-of-gaas-improved-by-tmal

Current investigations at FBH revealed that TMAl-assisted CBr4 etching in MOVPE could be a useful tool for in situ pattern transfer without contact to oxygen.

Elf Millionen Euro für optische Technologien

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DFG bewilligt dritte Förder­phase für den Sonder­for­schungs­bereich Halb­leiter-Nano­photonik.