Preiswerte Leistungstransistoren

Vom EU-Projekt "HiPoSwitch" versprechen sich Forscher und Industrie einen Quantensprung bei der Nutzung von Gallium-Nitrid (GaN) für Leistungstransistoren – auch für Solarelektronik. Bislang stellt man die eigentlich preiswerten GaN-Halbleiter epitaktisch (in Schichten abgelagert) auf SiC-Wafern her. Die sind über 30-mal so teuer wie gleichgroße Si-Wafer.
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Source: Solarthemen 364, 24.11.2011