Ionenimplantation

Die Entwicklung der Ionenimplantation in den 60er Jahren war eine der grundlegenden Voraussetzungen dafür, dass hochintegrierte Schaltkreise, wie wir sie heutzutage kennen, hergestellt werden können. Das Verfahren wird eingesetzt, um Fremdatome in einen Halbleiter einzubringen und auf diese Weise z. B. dessen Leitfähigkeit zu verändern (Dotierung). Am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (Leibniz FBH) beschäftigt sich Dr. Andreas Thies, Leiter der Arbeitsgruppe »Backend«, u. a. mit der Frage, wie die Ionenimplantation weiter verbessert werden kann. Wir haben mit ihm über seinen Arbeitsalltag, Herausforderungen und Innovationen im Halbleiterprozess gesprochen.
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