Auslaufmodell Siliziumkarbid?
Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des Jahrzehnts durch Galliumnitrid ersetzt. Diese These vertreten immer mehr Experten in der Leistungselektronik. Wir fragten bei Industrievertretern, Forschern und Analysten nach.
Auf einer Telefonkonferenz am 3. März 2023 zur geplanten Übernahme von GaN Systems meinte Adam White, Division President PSS bei Infineon, dass Siliziumkarbid (SiC) in den meisten Anwendungen im unteren zweistelligen Kilowatt-Bereich bis zum Ende dieses Jahrzehnts von Galliumnitrid (GaN) ersetzt würde. Damit würde Siliziumkarbid zur Brückentechnologie oder gar zum Auslaufmodell – zumindest für den Bereich unter etwa 10 bis 25 kW.