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500 V Schaltbetrieb mit GaN-HFETs
/forschung/forschungsnews/500-v-schaltbetrieb-mit-gan-hfets
Aktuelle Entwicklungen für elektronische Leistungskonverter zielen darauf, den Wirkungsgrad zu erhöhen und die Systemgröße zu reduzieren, sowohl im Hinblick auf das Gewicht als auch das Volumen. Das…
Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 671 nm für die Shifted Excitation Raman Differenz Spektroskopie
/forschung/forschungsnews/zwei-wellenlaengen-diodenlaser-bei-671-nm-fuer-die-shifted-excitation-raman-differenz-spektroskopie
Mit "Shifted Excitation Raman Differenz Spektroskopie (SERDS)" lassen sich Raman-Signale von einem Störsignal trennen. Das Ferdinand-Braun-Institut hat dieses Konzept weiterentwickelt und…
Detektoren zur hochempfindlichen Messung von UV-C-Strahlung
/forschung/forschungsnews/detektoren-zur-hochempfindlichen-messung-von-uv-c-strahlung
UV-Strahlung kommt in vielfältigen Anwendungen zum Einsatz. Meist muss dabei die Leistung in einem bestimmten Wellenlängenbereich überwacht werden. Das FBH hat dafür AlGaN-Photodetektoren entwickelt,…
18th Microscopy of Semi-Conducting Materials
/termine/18th-microscopy-of-semi-conducting-materials
Konferenz zur Untersuchung struktureller und elektronischer Eigenschaften von Halbleitermaterialien.
Energiequellen der Zukunft: Neuartige Diodenlaser für Ultrahochleistungslaser-Anwendungen
/media-center/presseinformationen/energiequellen-der-zukunft-neuartige-diodenlaser-fuer-ultrahochleistungslaser-anwendungen
Das FBH stellt auf der CLEO 2013 aktuelle Ergebnisse seines Projekts CryoLaser vor. CryoLaser wurde als "hot topic" für das zentrale Presse-Event der renommierten Fachkonferenz in San Jose, USA,…
WOCSDICE 2013
/forschung/forschungsnews/wocsdice-2013-1
Im Fokus der diesjährigen 37. WOCSDICE (Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits) standen aktuelle Entwicklungstrends bei Bauelementen auf Basis von Verbindungshalbleitern.…
Spannungskompensierende AlGaAsP-Schichten in GaAs-basierten Kantenemittern
/forschung/forschungsnews/spannungskompensierende-algaasp-schichten-in-gaas-basierten-kantenemittern
Kantenemittierende Halbleiter-Laserdioden für hohe optische Ausgangsleistungen werden vorzugsweise im Materialsystem GaAs/AlGaAs realisiert. Am FBH ist es nun gelungen, die Gesamtverspannung und ihre…
Leistungsfähige Mikromodule und neuartige Gittertechnologie bei roten Diodenlasern
/media-center/presseinformationen/leistungsfaehige-mikromodule-und-neuartige-gittertechnologie-bei-roten-diodenlasern
Das FBH präsentiert auf der Fachmesse Laser World of Photonics verschiedene miniaturisierte Laserstrahlquellen sowie Diodenlaser für den roten Spektralbereich, die eine neuartige Gittertechnologie…
FBH Artikel im Magazin "Advances in Engineering"
/forschung/forschungsnews/fbh-artikel-im-magazin-advances-in-engineering
Die FBH-Publikation "Optimization of 780 nm DFB diode lasers for high-power narrow linewidth emission" wurde auf der Titelseite des Magazins Advances in Engineering vorgestellt.
Girls'Day am FBH
/media-center/presseinformationen/girlsday-am-fbh-1
Auch in diesem Jahr öffnete das FBH seine Türen zum Girls'Day. Auszubildende und Nachwuchswissenschaftlerinnen und -wissenschaftler zeigten ihre Arbeitsumgebung und viel Wissenswertes rund um unsere…