Entwicklung & Fertigung von GaAs-Diodenlasern

Wir entwickeln und fertigen kundenspezifische Galliumarsenid-basierte Diodenlaser-Chips im Wellenlängenbereich von 0,62 µm bis 1,2 µm. Dies beinhaltet den Chipentwurf, bei dem wir modernste Simulationsmethoden einsetzen, und die Fertigung im Rahmen von Klein- und Pilotserien:

  • Rippenwellenleiter- & Trapezlaser
  • Breitstreifenlaser - Einzelemitter & Laserbarren
  • frequenzstabilisierte Diodenlaser - DBR, DFB, mECDL
  • durchstimmbare & Zweiwellenlängen-Diodenlaser
  • gepulste Diodenlaser

Auf Wunsch bieten wir ebenfalls die Passivierung und Beschichtung von Laserfacetten sowie den Aufbau der Laserchips durch unsere etablierte Aufbau- und Verbindungstechnik an.