InP-Ultra-Breitband-Komponenten (InP-DHBT-MMIC)

Wir entwickeln ultra-breitbandige Travelling-Wave-Verstärker (TWA) und breitbandige Transimpedanzverstärker (TIA) mit hervorragenden Eigenschaften, die wir mit unserem Transfer-Substrat InP-DHBT-Prozess realisieren.

Chipfoto eines ultra-breitbandigen Verstärker TWAs

Ultra-breitbandige MMIC-Verstärker

Leiterplatte mit verschiedenen elektronischen Komponenten, darunter Widerstände, Transistoren und integrierte Schaltungen, die auf einem hellgrünen Untergrund angeordnet sind. — Ultra-breitbandiger Verstärker TWA mit 175 GHz Bandbreite

Diagramm mit S-Parametern in Dezibel (dB) auf der y-Achse und Frequenzen in Gigahertz (GHz) auf der x-Achse. Drei Kurven sind in verschiedenen Farben (rot, blau, grün) dargestellt, mit verschiedenen Steigungen und Verläufen über den Frequenzen hinweg. — Simulierte und gemessene Ergebnisse für den Bereich DC - 175 GHz

Unsere TWA erreichen hohe Ausgangsleistungen P_sat > 12 dBm, einen hohen Wirkungsgrad > 10% und niedrige Rauschzahlen NF < 8 dB in einer Bandbreite > 150 GHz. Die entwickelten TIA erzielen eine Transimpedanz > 50 dBOhm mit einer hohen Ausgangsleistung.

Als Beispiel dient ein DC-175 GHz TWA mit einer Verstärkung von 12 dB und gleichmäßiger linearer Phase und Ausgangsleistung, mit P_1dB > 8 dBm bei 150 GHz und einer PAE von 6%.

Breitbandige Transimpedanz-Verstärker TIA

Elektronische Schaltung mit verschiedenen Bauteilen wie Widerständen und Halbleitern. Die Struktur ist komplex und detailliert, mit mehreren Verbindungslinien und Pins, die zur elektrischen Verbindung dienen. — Monolithisch integrierter TIA und TWA für hohe Ausgangsleistungen

Diagramm zeigt die S-Parameter in Abhängigkeit von der Frequenz von 0 bis 110 GHz. Fünf Kurven sind dargestellt: S11, S21 und S22, jeweils in gemessenen und simulierten Werten, erkennbar durch unterschiedliche Linienformen und Farben. — Simulierte und gemessene Ergebnisse für die TIA-TWA-Kaskade mit einem Verstärkungsbandbreiten-Produkt von 1,75 dBGHz

Unsere InP-DHB- Transimpedanzverstärker erzielen sehr niedrige Rauschzahlen mit gleichzeitig hoher Ausgangsleistung und großer Bandbreite.

Ultra-breitbandige elektronische MMIC-Schalter

Mikrochip mit komplexen Schaltkreisen und goldfarbenen Verbindungen auf einer bläulich-grünen Oberfläche. An verschiedenen Stellen sind kleine Halbleiter-Komponenten sichtbar, die miteinander verbunden sind. — Foto des elektronischen SPDT-MMIC-Schalter s

Diagramm zeigt verschiedene S-Parameter in Abhängigkeit von der Frequenz, dargestellt in dB. Die Kurven repräsentieren S11, S21 (ein- und ausgeschaltet) und S22. Die Werte reichen von -60 dBm bis 0 dBm über Frequenzen von 0 bis 330 GHz. — Simulierte und gemessene Ergebnisse für den MMIC-Schalter

Unsere elektronischen Schalter in InP-DHBT-Technologie zeigen eine exzellente Isolation zwischen den Signalpfaden, eine sehr gute Linearität sowie niedrige Verluste. Mithilfe der InP-TS-DHBT-Technologie konnten Single-Pole Double-Throw (SPDT) MMIC-Schalter mit einer Bandbreite von > 235 GHz erzielt werden mit Grenzfrequenzen bis 300 GHz. Die Linearität mit auf den Eingang referierter 1dB Leistung P_IN1dB liegt bei > 16 dBm und die Isolation bei > 40 dB.

TERAWAY - terahertz technology for ultra-broadband and ultra-wideband operation of backhaul and fronthaul links in systems with SDN management of network and radio resources

Das Ziel des Projektes TERAWAY ist eine umfassende (Fronthaul und Backhaul) 5G Infrastruktur aufzubauen für die THz-Datenübertragung zu und von Drohnen und Ballons. Die unbemannten Luftfahrzeuge sollen eine 5G- bzw. 6G-Konnektivität für große Veranstaltung und Sportevents mit einem sehr hohen lokalen Datenaufkommen bereitstellen.

HiConnects

Das Ziel des Teil-Projektes ist Heterointegration mit photonischen und elektronischen Komponenten zu entwickeln und realisieren und in kompakten Modulen aufzubauen. Hierzu soll eine Pilotlinie etabliert werden. Die anvisierten Datenraten sollen bei 400 GBaud mit PAM-4 liegen um die zukünftigen Standards bedienen zu können. Die entsprechende InP DHBT Technologie soll soweit weiterentwickelt werden, dass Grenzfrequenzen oberhalb von 700 GHz liegen werden. Die dazu notwendigen Material- und Prozessentwicklungen inklusive der Qualitätskontrolle und verbesserter Zuverlässigkeit und Ausbeute sind ein wesentliches Merkmal des Projektes.