FBH and IKZ worked on the fabrication of lateral β-Ga2O3-based power transistors with enhanced device performance through combining optimized layer growth and improved process technology.
Unsere Zukunft selbst mitgestalten und die Mikroelektronik von übermorgen in Deutschland und Europa entwickeln – mit diesem Ziel vor Augen trafen sich Technologieexpertinnen und -experten, Anwenderinnen und Anwender sowie Forschende der Fraunhofer-Gesellschaft und Leibniz-Gemeinschaft zu den 2. FMD Innovation Days.
Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin
FBH and IKZ worked on the fabrication of lateral β-Ga2O3-based power transistors with enhanced device performance through combining optimized layer growth and improved process technology.
Ultra-schnelle Treiber, die Ströme bis zum kA-Bereich mit Nanosekunden-Pulsweiten schalten, sind Schlüsselkomponenten für Puls-Laserquellen. Das FBH hat auf diesem Gebiet Rekordergebnisse mit GaN-basierten Treibern erzielt. Zur Verstärkung unseres Teams suchen wir deshalb eine(n) wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in).
Wir suchen die/den Leiter(in) unseres InP Devices Lab.
Dr. Tim Schröder, Wissenschaftler am Institut für Physik der HU Berlin und am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), hat einen ERC Starting Grant eingeworben und wird für fünf Jahre mit 1,5 Millionen Euro gefördert.
Ein PC-steuerbarer Live-Demonstrator für gepulste Laserquellen erzeugt Pulse im Bereich von 200 ps bis 20 ns.
Researchers from Germany’s Ferdinand-Braun-Institut (FBH) have made a breakthrough in their development of transistors based on gallium oxide (ß-Ga2O3), achieving high breakdown voltage combined with high current conductivity.
The Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut has developed what the research organization says are gallium oxide power transistors with record values.
Dr. Tim Schröder, Wissenschaftler am Institut für Physik der Humboldt-Universität zu Berlin (HU) und am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), hat einen ERC Starting Grant eingeworben und wird für fünf Jahre mit 1,5 Millionen Euro gefördert.
Leistungstransistor aus Galliumoxid wartet mit sehr hohen Durchbruchspannungen und niedrigen Widerständen auf.
The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) recently announced a breakthrough with transistors based on gallium oxide (ß-Ga2O3).
Besuchen Sie uns auf der EuMW auf der Konferenz sowie am Gemeinschaftsstand der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland.
Das FBH stellt aktuelle Forschungsergebnisse auf der Konferenz vor.
Besuchen Sie uns auf dem MST-Kongress in Berlin am Gemeinschaftsstand der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Das FBH koordiniert im Rahmen der Nachwuchs- und Fachkräftesicherung Projekte zur:
und ist Ansprechpartner für Bildung und Fachkräftesicherung im Cluster Optik.
an zahlreichen Universitäten und Hochschulen - regional und überregional
