Kundenspezifische Epitaxieschichten

  • Halbleiter-Schichtstrukturen für LEDs, Laserdioden, Transistoren etc. auf der Basis von (Al,In,Ga)As, (Ga,In)P und (Al,In,Ga)N nach kundenspezifischen Vorgaben
  • Mehrschrittepitaxien für 2D- oder 3D- Strukturierung (z. B. vergrabene Implantationen oder vergrabene Gitter)
  • Versetzungsarme AlN/Saphir Templates