Chips - Laser & LEDs
GaAs- & GaN-basierte Optoelektronik
Auf der Basis von III/V-Halbleiter-Schichtstrukturen auf Galliumarsenid (GaAs) entwerfen und realisieren wir in unserem Department Optoelektronik maßgeschneiderte Diodenlaser im Wellenlängenbereich von 610 nm bis 1200 nm. Im Vordergrund stehen dabei die Steigerung von Leistung, Effizienz, Strahlgüte und Zuverlässigkeit. FBH-Diodenlaser werden in verschiedensten Applikationen eingesetzt, von der Materialbearbeitung, dem Pumpen von Festkörperlasern, der Messtechnik, Medizin, nichtlinearen Optik, Displaytechnologie und Sensorik bis hin zu Quantentechnologien und Weltraumanwendungen. Unsere Laser-Chiplets lassen sich zudem auf verschiedene Materialplattformen, so genannten Photonic Integrated Circuits (PICs), integrieren.
Unser Fokus bei Galliumnitrid (GaN)-basierten Diodenlasern liegt derzeit bei Emissionswellenlängen von 390 nm bis 460 nm. UV-Leuchtdioden (LEDs) entwickeln wir insbesondere für den UVB- und UVC-Spektralbereich. Zur Montage der Bauelemente setzten wir unsere etablierte Aufbau- und Verbindungstechnik ein.
