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Department Materialtechnologie

In der Materialtechnologie beginnt die Umsetzung der Konzepte für optoelektronische und elektronische Bauelemente. Als Kompetenzzentrum für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) stellen wir ultradünne Halbleiter-Schichtstrukturen her. Dazu wachsen wir auf einem einkristallinen Substrat, Atomlage für Atomlage, homogene Schichten mit exakt definierten Eigenschaften und begleitet von einer umfassenden Materialanalytik.

  • Epitaxie Nitride – Heterostrukturen für UV-LEDs, UV-Fotodetektoren, violette Laserdioden und GaN-Transistoren. Weiterhin forschen wir an HVPE-Prozessen für AlN-Templates.
  • Epitaxie Arsenide & Phosphide – Heterostrukturen für GaAs-Laserdioden sowohl für die Bauelemententwicklung am FBH als auch für externe Kunden. Darüber hinaus entwickeln wir SAM-Strukturen für gepulste Lasersysteme.
Eine Spitze hebt sich über eine glatte, runde Oberfläche, auf der ein roter Laserstrahl angezeigt wird. Der Laser wird mit einem feinen Werkzeug aus Metall abgebildet, das präzise positioniert ist.