2. Berlin WideBaSe Konferenz

Verbindungshalbleiter mit großer Bandlücke, insbesondere Nitride aus der III. Gruppe, besitzen enormes Anwendungspotenzial in der Optoelektronik und Elektronik. Informieren Sie sich zum aktuellen Stand der Entwicklungen:

• Ergebnisse aus dem Wachstumskern
• Themen aus dem gesamten F&E-Spektrum der Material- und Technologieforschung
• Anwendungen nitridbasierter Halbleiterbauelemente

Programm & Informationen zur Anmeldung (pdf, in Englisch)

Konferenz, 19.-20.09.2013, Berlin