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IEEE International Electron Devices Meeting
/termine/ieee-international-electron-devices-meeting
Konferenz zu Technologie, Design, Physik und Modellierung von elektronischen und Halbleiterbauelementen.
Epitaxie von III/V-Halbleitern
/termine/epitaxie-von-iiiv-halbleitern-1
Workshop der Deutschen Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum e.V.
Differenzieller GaN-Leistungsoszillator für kompakte Hochleistungsgeneratoren im 2.45 GHz Frequenzband
/forschung/forschungsnews/differenzieller-gan-leistungsoszillator-fuer-kompakte-hochleistungsgeneratoren-im-245-ghz-frequenzband
Neue Anwendungen im Bereich der Mikrowellenerwärmung und Plasmatechnik erfordern sehr kompakte Generatoren im Leistungsbereich 10 W bis 100 W. Für diese Kriterien wurde nun am FBH ein…
Aufbau und Funktion des BL2000 Barrenbonders
/media-center/presseinformationen/aufbau-und-funktion-des-bl2000-barrenbonders
Juliane RieprichFerdinand-Braun-Institut, Berlin
frequent 05_2013, Thema "UV-LEDs" erschienen
/forschung/forschungsnews/frequent-05-2013-thema-uv-leds-erschienen
Die aktuelle Ausgabe der frequent zum Thema "ultraviolet light from LEDs" ist in englischer Sprache erschienen.
Grundsteinlegung - Erweiterungsbau
/forschung/forschungsnews/grundsteinlegung-erweiterungsbau
Am 25.09.2013 wurde am FBH der Grundstein für neue Labor- und Büroräume gelegt - 2015 soll das Gebäude fertiggestellt sein.
100 nm Ka-Band-Transistoren ohne Kurzkanaleffekt
/forschung/forschungsnews/100-nm-ka-band-transistoren-ohne-kurzkanaleffekt
Das FBH hat die technologischen Schlüsselkomponenten für monolithisch integrierte GaN-Leistungsverstärker (MMIC) mit extrem kurzen Gates und darauf angepassten Epitaxieschichten entwickelt. Diese…
Entwicklung neuer Technologien zur Herstellung von Steuereingängen mit geneigten Flanken für AlGaN/GaN HEMTs
/forschung/forschungsnews/entwicklung-neuer-technologien-zur-herstellung-von-steuereingaengen-mit-geneigten-flanken-fuer-algangan-hemts
Am FBH wurden zwei neue Prozesssequenzen zur Herstellung von Steuereingängen mit geneigten Flanken entwickelt – die neuen Prozessmodule stehen nun für die Integration in die GaN basierte…
Heterogene Integration von Millimeterwellen-Schaltungen in InP-SiGe BiCMOS Technologie
/media-center/presseinformationen/heterogene-integration-von-millimeterwellen-schaltungen-in-inp-sige-bicmos-technologie-1
Dr. Ina OstermayFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Investigation of the effects of surface texturing and embedded electrode on the performance of light-emitting diodes
/media-center/presseinformationen/investigation-of-the-effects-of-surface-texturing-and-embedded-electrode-on-the-performance-of-light-emitting-diodes
Ji-Hye KangChonbuk National University/TU Berlin