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Sommerschule Kristallzüchtung
/termine/sommerschule-kristallzuechtung
Tagungsprogramm zu verschiedenen Aspekten der Züchtung und Charakterisierung von Kristallen.
Überwachung der anderen Art: Pflanzen-Monitoring lückenlos und nutzerfreundlich
/media-center/presseinformationen/ueberwachung-der-anderen-art-pflanzen-monitoring-lueckenlos-und-nutzerfreundlich
Im europäischen Netzwerk USER-PA haben sich internationale Partner aus verschiedenen Forschungsdisziplinen zusammengetan, um eine zukunftsfähige und nachhaltige technologische Plattform für den…
Electronic Materials Conference
/termine/electronic-materials-conference-1
Konferenz zu Präparation und Charakterisierung elektronischer Materialien.
2. Berlin WideBaSe Konferenz
/termine/2-berlin-widebase-konferenz
Jetzt anmelden für das umfassende Programm zu Verbindungshalbleitern großer Bandlücke (Konferenzsprache Englisch).
Charakterisierung der dynamischen Eigenschaften von Diodenlasersystemen
/termine/charakterisierung-der-dynamischen-eigenschaften-von-diodenlasersystemen
Mandy Krüger, Ferdinand-Braun-Institut, Berlin
FBH-Paper vom Journal of Electronic Materials ausgezeichnet
/forschung/forschungsnews/fbh-paper-vom-journal-of-electronic-materials-ausgezeichnet
Eine FBH Publikation wurde auf der diesjährigen Electronics Materials Conference (26.-28.06.2013) in South Bend, Indiana (USA) mit dem Best Paper Award ausgezeichnet. Die Veröffentlichung…
Design, Herstellung, und Charakterisierung von miniaturisierten AuSn Flip-Chip-Übergängen bis 110 GHz
/forschung/forschungsnews/design-herstellung-und-charakterisierung-von-miniaturisierten-ausn-flip-chip-uebergaengen-bis-110-ghz
Die Flip-Chip-Technologie ist eine attraktive Lösung für die Aufbau- und Verbindungstechnik von Höchstfrequenzanwendungen – insbesondere verglichen mit der Bonddraht-Methode. Dies belegen aktuelle…
Einzelmodige Laser bei 1120 nm mit elektrisch-durchstimmbarem internen Gitter
/forschung/forschungsnews/einzelmodige-laser-bei-1120-nm-mit-elektrisch-durchstimmbarem-internen-gitter
Das FBH entwickelt zurzeit im Projekt Yellow Rippenwellenleiterdioden bei 1120 nm mit integrierten Oberflächengittern. Mithilfe der Frequenzverdoppelung soll die Wellenlänge auf 560 nm halbiert…
Neues elektro-thermisches Modell zur Beschreibung von GaN-HEMT-Leistungstransistoren
/forschung/forschungsnews/neues-elektro-thermisches-modell-zur-beschreibung-von-gan-hemt-leistungstransistoren
GaN-Mikrowellen-Leistungstransistoren bestehen aus mehreren Zellen, die sich wiederum aus mehreren Fingern zusammensetzen. Um das Zusammenwirken der einzelnen Zellen analysieren und optimieren zu…
Ohmsche Rückseitenkontakte für blau emittierende Laserdioden
/forschung/forschungsnews/ohmsche-rueckseitenkontakte-fuer-blau-emittierende-laserdioden
Das FBH entwickelte eine Technologie zur Herstellung ohmscher Kontakte auf der N-polaren GaN-Oberfläche, die problemlos in die Fabrikationskette einer RW-Laserdiode integriert werden kann.