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Rot-emittierende Diodenlaser mit schmaler Linienbreite
/forschung/forschungsnews/rot-emittierende-diodenlaser-mit-schmaler-linienbreite
Schmalbandige Rot-emittierende Diodenlaser sind eine attraktive Alternative zu He-Ne-Lasern, die derzeit in der Metrologie und der Raman Spektroskopie zum Einsatz kommen. Erst kürzlich haben…
Leistungsverteilung in GaN-Leistungstransistoren
/termine/leistungsverteilung-in-gan-leistungstransistoren
Leistungsverteilung in GaN-Leistungstransistoren Frank SchniederFerdinand-Braun-Institut, Berlin 26.10.2012
Pause Institutskolloquien
/termine/pause-institutskolloquien-5
Pause Institutskolloquien Während der vorlesungsfreien Zeit finden am FBH in der Regel keine Institutskolloquien statt. Neue Termine kündigen wir rechtzeitig an dieser Stelle an. bis Mitte Oktober…
European Microwave Week
/termine/european-microwave-week-2
Europe’s Premier Microwave, RF, Wireless and Radar Event
International Workshop on Nitride Semiconductors
/termine/international-workshop-on-nitride-semiconductors
International Workshop
Pumpquellen für Nd:YAG Festkörperlaser - Technologie und Herausforderungen für die Weltraumkommunikation der Zukunft
/termine/pumpquellen-fuer-ndyag-festkoerperlaser-technologie-und-herausforderungen-fuer-die-weltraumkommunikation-der-zukunft
Pumpquellen für Nd:YAG Festkörperlaser - Technologie und Herausforderungen für die Weltraumkommunikation der Zukunft Karl HäuslerFerdinand-Braun-Institut, Berlin 19.10.2012
Optimierte Multifinger-Transistoren für Millimeterwellen-Leistungsverstärker
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Am FBH wurden Arbeiten durchgeführt, mit denen die Ausgangsleistung von Verstärkern im Millimeterwellen-Bereich erhöht werden soll. Dazu wurden 4-, 6- und 8-Finger-Transistoren entwickelt, die…
TOTAL E-QUALITY Prädikat für Chancengleichheit erneut verliehen
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Am 24. September 2012 erhielt Ferdinand-Braun-Institut erneut das TOTAL E-QUALITY Prädikat für sein Engagement zur Chancengleichheit.
Anpassung des Wachstumsprozesses zur Verbesserung der Materialqualität von Al0.45Ga0.55N
/forschung/forschungsnews/anpassung-des-wachstumsprozesses-zur-verbesserung-der-materialqualitaet-von-al045ga055n
Am FBH wird zurzeit an der Verbesserung der Schichtqualität von Al0.45Ga0.55N-Kristallen aus der HVPE geforscht. Dabei wird das Saphir-Substrat mit zueinander parallel verlaufenden Gräben…
Flip-Chip UV-B-LEDs mit optischen Leistungen im Milliwatt-Bereich
/forschung/forschungsnews/flip-chip-uv-b-leds-mit-optischen-leistungen-im-milliwatt-bereich
Die Anwendungsfelder von ultraviolettem Licht im UV-B-Wellenlängenbereich sind vielfältig: von der Materialbearbeitung, wie z.B. der Oberflächenbehandlung, bis hin zu Applikationen im medizinischen…