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Charakterisierung der dynamischen Eigenschaften von Diodenlasersystemen
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Mandy Krüger, Ferdinand-Braun-Institut, Berlin
FBH-Paper vom Journal of Electronic Materials ausgezeichnet
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Eine FBH Publikation wurde auf der diesjährigen Electronics Materials Conference (26.-28.06.2013) in South Bend, Indiana (USA) mit dem Best Paper Award ausgezeichnet. Die Veröffentlichung…
Design, Herstellung, und Charakterisierung von miniaturisierten AuSn Flip-Chip-Übergängen bis 110 GHz
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Die Flip-Chip-Technologie ist eine attraktive Lösung für die Aufbau- und Verbindungstechnik von Höchstfrequenzanwendungen – insbesondere verglichen mit der Bonddraht-Methode. Dies belegen aktuelle…
Einzelmodige Laser bei 1120 nm mit elektrisch-durchstimmbarem internen Gitter
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Das FBH entwickelt zurzeit im Projekt Yellow Rippenwellenleiterdioden bei 1120 nm mit integrierten Oberflächengittern. Mithilfe der Frequenzverdoppelung soll die Wellenlänge auf 560 nm halbiert…
Neues elektro-thermisches Modell zur Beschreibung von GaN-HEMT-Leistungstransistoren
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GaN-Mikrowellen-Leistungstransistoren bestehen aus mehreren Zellen, die sich wiederum aus mehreren Fingern zusammensetzen. Um das Zusammenwirken der einzelnen Zellen analysieren und optimieren zu…
Ohmsche Rückseitenkontakte für blau emittierende Laserdioden
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Das FBH entwickelte eine Technologie zur Herstellung ohmscher Kontakte auf der N-polaren GaN-Oberfläche, die problemlos in die Fabrikationskette einer RW-Laserdiode integriert werden kann.
500 V Schaltbetrieb mit GaN-HFETs
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Aktuelle Entwicklungen für elektronische Leistungskonverter zielen darauf, den Wirkungsgrad zu erhöhen und die Systemgröße zu reduzieren, sowohl im Hinblick auf das Gewicht als auch das Volumen. Das…
Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 671 nm für die Shifted Excitation Raman Differenz Spektroskopie
/forschung/forschungsnews/zwei-wellenlaengen-diodenlaser-bei-671-nm-fuer-die-shifted-excitation-raman-differenz-spektroskopie
Mit "Shifted Excitation Raman Differenz Spektroskopie (SERDS)" lassen sich Raman-Signale von einem Störsignal trennen. Das Ferdinand-Braun-Institut hat dieses Konzept weiterentwickelt und…
Detektoren zur hochempfindlichen Messung von UV-C-Strahlung
/forschung/forschungsnews/detektoren-zur-hochempfindlichen-messung-von-uv-c-strahlung
UV-Strahlung kommt in vielfältigen Anwendungen zum Einsatz. Meist muss dabei die Leistung in einem bestimmten Wellenlängenbereich überwacht werden. Das FBH hat dafür AlGaN-Photodetektoren entwickelt,…
18th Microscopy of Semi-Conducting Materials
/termine/18th-microscopy-of-semi-conducting-materials
Konferenz zur Untersuchung struktureller und elektronischer Eigenschaften von Halbleitermaterialien.