THz-Bildgebung mit Transistor-Detektoren
Wir entwickeln THz-Detektoren auf der Grundlage plasmonischer und resistiver Effekte für Frequenzen bis 2500 GHz – als schmalbandige und ultra-breitbandige THz-Detektoren. Zudem realisieren wir THz-Detektor-Arrays und THz-Kamera-Systeme mit integrierter Ausleseelektronik. Alle diese Entwicklungen basieren auf dem GaN-Mikrowellen-HEMT-Prozess des FBH. In Kooperation mit dem Goethe-Leibniz-Terahertz-Center haben wir THz-Detektoren im Frequenzbereich 500 - 2500 GHz mit integrierten Antennen und monolithisch integrierten Arrays realisiert.
Die THz-Detektoren zeigen eine sehr hohe Empfindlichkeit und weltweit beste rauschäquivalente Rauschleistungen (NEP) von 26 pW/√Hz bei 500 GHz mit einer Bandbreite von 1000 GHz der Detektoren und Detektorarrays.
Im Projekt wird ein bildgebendes Demosystems für förderbandgestützte Industrieanwendungen mit höchster Empfindlichkeit und verbesserten Rauscheigenschaften der THz-Detektor-Arrays aufgebaut. Es soll interessierten Industriekunden den Mehrwert zeigen, den sie durch den THz-Spektralbereich gegenüber etablierten Technologien im sichtbaren oder infraroten Spektralbereich erhalten.
Das Sensor-Demosystem wird vielfach einsetzbar sein und sowohl im Durchstrahl- als auch im Reflektionsmodus bzw. gleichzeitig betrieben werden können. Zudem soll die Bildgebung für 2D- und 3D-Rekonstruktion implementiert werden, um über die Realisierung der Hardware hinaus auch Bildrekonstruktion demonstrieren zu können. Damit soll das das volle Potenzial des THz-Spektralbereichs demonstriert werden.
Weitere Informationen: adam.raemer(at)fbh-berlin.de