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OpTecBB - Vorstand gewählt
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Auf der diesjährigen Mitgliederversammlung des Kompetenznetzes Optische Technologien Berlin-Brandenburg OpTecBB e.V. am 3. September wurde ein neuer Vorstand gewählt. Vorstandsvorsitzender…
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor (IWBNS)
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Herausforderungen beim Wachstum von Gruppe-III-Nitrid-Kristallen mit geringer Defektdichte.
SPIE Security and Defense
/termine/spie-security-and-defense
In Kooperation mit Jenoptik präsentiert das FBH einen eingeladenen Vortrag.
European Materials Research Society - Herbsttagung
/termine/european-materials-research-society-herbsttagung
Das FBH wird mit einem eingeladenen Vortrag vertreten sein.
Stabilerer RW-Prozess dank Analyse des Antiguiding-Effekts in Laserdioden auf der Basis von GaN
/forschung/forschungsnews/stabilerer-rw-prozess-dank-analyse-des-antiguiding-effekts-in-laserdioden-auf-der-basis-von-gan
Zahlreiche Aspekte der Bauelemente-Physik von blau und violett emittierenden GaN-Laserdioden sind nach wie vor nicht ausreichend verstanden. Die Laserschwelle beispielsweise hängt stark von der Tiefe…
Das Schülerforschungszentrum Berlin an der Lise-Meitner-Schule öffnet seine Pforten
/media-center/presseinformationen/das-schuelerforschungszentrum-berlin-an-der-lise-meitner-schule-oeffnet-seine-pforten
Am 14.08.2013 stellte die Lise-Meitner-Schule (LMS) das neu gegründete Schülerforschungszentrum Berlin vor. Zu den Gründungsmitgliedern gehört auch das Ferdinand-Braun-Institut, das seit vielen…
IEEE Photonics Conference
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Das FBH ist mit einem eingeladenen Vortrag vertreten.
DRIP-XV
/termine/drip-xv
15th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) - u.a. mit einem eingeladenen Vortrag aus dem FBH.
10. Internationale Konferenz zu Nitridhalbleitern
/termine/10-internationale-konferenz-zu-nitridhalbleitern
Das FBH präsentiert mehrere Vorträge zu Materialien auf der Basis von Nitridhalbleitern.
1 cm breite Laserbarren erreichen Spitzenleistung von 1,7 kW bei 220 K
/forschung/forschungsnews/1-cm-breite-laserbarren-erreichen-spitzenleistung-von-17-kw-bei-220-k
Zurzeit werden weltweit Großlaseranlagen für die laserinduzierte Kernfusion geplant. Um die Kosten für die erhebliche Anzahl Diodenlaser zu senken, sind hohe Leistungsdichten (Leistung pro…