Prozesstechnologie

Wir bearbeiten Wafer von 2" bis 100 mm und unterschiedliche Substrate (GaAs, InP, Si, SiC, Saphir, GaN) mit hoher Reproduzierbarkeit. Mit einem modernen, nach industriellen Maßstäben ausgestatteten Prozessequipment entwickeln wir schnell Prozesse, überführen sie bei Bedarf in Kleinserien oder transferieren Prozessmodule an Partner. Die Prozesslinie umfasst die folgenden Technologien zur Strukturierung von Wafern bis hin zur Chipvereinzelung:

Lithografie

Gate-Struktur mit Lithografie erzeugt

Fotolithografie

  • bis 100 mm Waferdurchmesser einschließlich Sondergrößen und Teilstücke
  • i-Line Belichtung (365 nm) mit Stepper und Maskaligner
  • Strukturgrößen bis minimal 350 nm

Elektronenstrahllithografie

  • 2" - 100 mm  Waferbelichtung mit Form- und Punktstrahlanlagen
  • 100 - 150 mm Maskenbelichtung
  • 30 nm Formstrahl und 6 nm Punktstrahl

Ätzen

geätzte Struktur

Nasschemisches Ätzen

  • manuelle und automatisierte Ätzprozesse
  • materialselektives Ätzen mit Ätzstopp
  • kristallographisches Ätzen
  • gezieltes Unterätzen

Trockenchemisches Ätzen

  • RIE- und ICP-basierte Verfahren
  • in-situ Prozesskontrolle mittels Laserinterferometrie
  • etablierte Prozesse für Halbleiter, Dielektrika, Metalle und Polymere

 

Abscheideverfahren

Abscheideverfahren Reinraum
  • PECVD-Abscheidung von Isolatoren
  • Elektronenstrahlbedampfung diverser Metalle
  • HF- und DC-Sputterverfahren für Metalle und Dielektrika
  • galvanische Goldabscheidung 

Ionenimplantation

Ionenimplanter am Ferdinand-Braun-Institut
  • Mittelstrom-Implantationanlage 15 keV bis 450 keV
  • beheizbarer Chuck bis 500 °C
  • Ionen aus gasförmigen, festen und flüssigen Ausgangsstoffen
  • Einfach- und Mehrfach-Implantationen
  • Simulation von Implantationsprofilen

Thermische Prozesse

Rapid Thermal Annealing (RTA)

  • unter N2-, N2/O2- oder Ar-Atmosphäre bis zu 1100 °C
  • unter N2-, Ar- oder Formiergas-Atmosphäre bis zu 1600 °C

Entspannungstempern

  • unter N2- oder Ar-Atmosphäre bis 800 °C 

DC-Prozessmesstechnik

Messtechnik am Ferdinand-Braun-Institut
  • Inline PCM- und TLM-Messungen auf verschiedenen Waferprobern
  • Kapazitätsmessung im Bereich 1 kHz bis 5 MHz (1 mHz Auflösung)
  • Nadelkarten mit bis zu 18 Pins
  • Messbereich: 10 fA bis 1 A  bzw. 10 nV bis 200 V 

Abdünnen

Waferabdünnen Läppmaschine am FBH
  • Läppen und Polieren von GaAs, SiC, Saphir, GaN und Silizium
  • Wafergrößen von 2", 3" und 100 mm Wafern sowie Teilstücken
  • Dickenhomogenität bis zu +/- 2 µm über einem 100 mm Wafer

Sägen

Sägen von Wafern und Waferteilstücken
  • Sägen von z.B. GaAs, Saphir, SiC, Al2O3, Si, Quarzglas
  • Bearbeitung von 2" bis 150 mm Wafern sowie von Waferteilstücken
  • Chips auf Folie im Standard-Sägerahmen "ready for pick and place"

Lasermikrostrukturierung

  • Mikrobearbeitung mit Pulslasern
  • Ritzen, Schneiden, Bohren von SiC, GaN, AlN, Si und Saphir

Prozessbegleitende Analytik

Prozessbegleitende Analytik - Rasterelektronenmikroskop
  • Ellipsometrie
  • Reflektometrie (200 - 980 nm)
  • Röntgenfluoreszenzanalyse (XRF)
  • Energiedisperse Röntgenspektroskopie (EDX)
  • Rasterelektronenmikroskopie (REM)
  • Weißlichtinterferometrie
  • Profilometrie
  • Defektdichtemessung 
  • Akustische Mikroskopie
  • Rasterkraftmikroskopie (AFM, C-AFM)