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Bilder zu einzelnen Pressemitteilungen

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  • Logo

    Logo (jpg, RGB-Farbmodus) des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik. Bei weiteren Formaten wenden Sie sich bitte an die Pressestelle.

  • Luftbild Ferdinand-Braun-Institut

    © FBH/Dimitri Stoppel

    Luftaufnahme des Ferdinand-Braun-Instituts. Im Vordergrund ist der 2015 bezogene jüngste Erweiterungsbau des FBH mit 1.800 qm Labor- und Bürofläche zu sehen, links die rückwärtige Fassade des Reinraums, die mit Solarmodulen verkleidet ist. Der Eingang zum Hauptgebäude befindet sich auf der dem Foto abgewandten Seite.

  • Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) - Planetenreaktor

    © FBH/P. Immerz

    Multiwaferanlage für die Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von Galliumnitrid. Die Substratwafer werden über eine Handschuhbox eingeschleust und einzeln in den Reaktor gelegt. Bei diesem ersten Bearbeitungsschritt auf dem Weg zum fertigen Bauelement weden atomlagendünne Materialschichten auf Substratmaterial (= Wafer) abgeschieden.

  • Plasmaätzen im Reinraum

    © FBH/Petra Immerz

    Trockenätzverfahren, das u.a. in der Halbleitertechnologie eingesetzt wird und mit dem Material kontrolliert abgetragen wird. Bestimmte Stellen des Substrats werden dabei mit einem Material wie etwa Fotolack beschichtet, diese Stellen überstehen den anschließenden Ätzprozess unangetastet. Das Verfahren ermöglicht Strukturen im Mikrometerbereich und darunter.

  • Mikrotechnologin im Reinraum

    © FBH/schurian.com

    Hier montiert eine Miktrotechnologin Laserstacks – solche Diodenlaser liefern besonders hohe Ausgangsleistungen wie sie etwa in der Materialbearbeitung benötigt werden.

  • On-wafer Mikrowellen­messtechnik

    © FBH/schurian.com

    Spezielle Messspitzen ermöglichen es, gezielt einzelne Schaltungen auf dem Wafer zu messen. Die Kontakte sind dabei in der Regel nur 50-150 Mikrometer voneinander entfernt. Diese Messtechnik zeichnet sich dadurch aus, dass die Hochfrequenz­eigenschaften der Schaltungen durch die Messspitzen (Probes) nur unwesentlich verfälscht werden.

  • Elektrolumineszenzmessung mittels Wafer-Mapper an AlGaN-UV-LEDs

    ©FBH/schurian.com

    Mit einem Wafer-Mapper werden charakteristische Eigenschaften wie optische Leistung, Spannung und Wellenlänge von AlGaN-basierten UV-LEDs auf einem 2-Zoll-Wafer gemessen und deren Homogenität untersucht. Die UV-Strahlung dieser LEDs wird unter anderem für medizinische Anwendungen in der Dermatologie, in der Sensorik und zur Desinfektion verwendet.

  • Wafer mit Terahertz-Schaltungen

    © FBH/schurian.com

    Terahertz (THz)-Schaltungen in einer InP-auf-BiCMOS-Technologie für die THz-Signalerzeugung. Die hochfrequenten Indiumphosphid (InP) Doppel-Heterostruktur-Bipolartransistoren (DHBT) sind heterointegriert auf einem Silizium-BiCMOS-Wafer. Die dunkleren Stellen zeigen BiCMOS-Oszillatoren bei 82 GHz und die helleren Schaltteile die InP-DHBT-Vervielfacher- und Verstärker-Schaltungen.

  • Wafer mit Laserdioden

    © FBH/schurian.com

    Fertig prozessierter 3" Wafer mit Laserdioden.

  • UV-Leuchtdiode (LED)

    © FBH/schurian.com

    AlGaN-basierter UV-LED-Chip in Flip-Chip-Geometrie in einem hermetisch verschlossenen Keramikgehäuse mit Quarzdeckel. Das Gehäuse schützt den Chip in feuchten Umgebungen und leitet die Wärme effizient ab. Das von der LED ausgestrahlte UV-Licht kann zum Pflanzenwachstum, in der Dermatologie, der Sensorik, zur Desinfektion und in weiteren Bereiche eingesetzt werden.

  • Neue Generation von Laserdioden

    © FBH/schurian.com

    Durch Verbesserungen im Design bieten diese Breitstreifenlaser sowohl hohe Ausgangsleistungen als auch hohe Effizienzen – bislang führten höhere Ausgangsleistungen meist zu einem deutlich schlechteren Wirkungsgrad (Konversionseffizienz von elektrischer in optische Leistung).

  • Fasergekoppelte Lasermodule für Systemintegration

    ©FBH/schurian.com

    Durch Lasermodule mit Faserausgang lässt sich die komplexe Diodenlaserstrahlung einfach in Systeme integrieren und macht sie für vielfältige Anwendungen nutzbar, von der Biomedizintechnik über die Produktionsautomatisierung bis hin zur Grundlagenforschung. Lasermodule mit Faserausgang sind ideal geeignet, um hohe Ausgangsleistungen bis in den Wattbereich gefahrlos zum Einsatzort zu führen. Bei Bedarf können auch polarisationserhaltende Fasern integriert werden, um polarisationsabhänge Effekte wie etwa die Frequenzverdopplung optimal nutzen zu können.

  • ps-Lichtquelle mit integriertem Pulspicker

    © FBH/schurian.com

    Diese Pikosekunden-Lichtquelle mit hybrid integrierter Elektronik vereint Kompetenzen des FBH aus Optoelektronik und Mikrowellentechnik. Derartige Laserstrahlquellen auf der Basis von Diodenlasern besitzen großes Anwendungs- und Marktpotenzial in der Materialbearbeitung, Sensorik und Analytik. Sie sind die Herzstücke der kompakten Pulslichtquellen des FBH, die flexible Pulse im Piko- und Nanosekundenbereich mit Nanojoule-Energien liefern.

  • Digitales Leistungsverstärker-Modul für 5G, die mobile Kommunikation der Zukunft

    © FBH/schurian.com

    Das neuartige Modul ist außerordentlich flexibel, kompakt und höchst effizient – und damit besonders attraktiv im Hinblick auf die Digitalisierung von Mobilfunkbasisstationen. Die Leistungsverstärker bestimmen nämlich hauptsächlich die Effizienz des Gesamtsystems und damit die Betriebskosten.

  • Symmetrisch aufgebaute Halbbrücken

    © FBH/P. Immerz

    Sie bestehen aus je zwei GaN-basierten Leistungsschalttransistoren in selbstsperrender Technologie und zwei GaN-Freilaufdioden - in einem elektronischen Leistungskonverter werden sie zu einer Vollbrücke verschaltet. Die symmetrisch aufgebauten Halbbrücken sind dafür ausgelegt, eine Leistung von 10 kW mit einer Effizienz von deutlich > 90% zu erreichen. Derartige Leistungskonverter eignen sich u.a. für On-Board-Ladeeinheiten in Elektroautos.

  • Prof. Dr. Günther Tränkle

    © FBH/Katja Bilo

    Direktor des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik

  • Prof. Dr. Günther Tränkle

    © FBH/Katja Bilo

    Direktor des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik