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Scharfe Schnitte mit brillanten Diodenlasern

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Im EU-Projekt BRIDLE (Brilliant Industrial Diode Lasers) entwickeln Wissenschaftler des Ferdinand-Braun-Instituts, gemeinsam mit europäischen Partnern neue hochbrillante Laser auf Basis von…

Ultra-Breitband-Übergänge durch InP-auf-BiCMOS-Integration

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Die verfügbare Bandbreite bei Mikrowellen- und Millimeterwellen-Modulen wird derzeit auch durch die Verbindungstechnik begrenzt - und ist damit im Allgemeinen auf einen Frequenzbereich kleiner 100…

Verbessertes thermisches Management für Terahertz-Quantenkaskadenlaser

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Terahertz-Quantenkaskadenlaser (THz-QCL) sind vielversprechende Strahlungsquellen für verschiedene Anwendungen, u.a. für bildgebende Verfahren in der Materialdiagnostik, drahtlose Kommunikation,…

Diskrete abgleichbare pre-matching GaN-BST-Transistoren

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Für moderne drahtlose Kommunikationsanwendungen entwickelt das FBH in Zusammenarbeit mit der TU Darmstadt neuartige diskrete RF-Leistungstransistoren, die die Möglichkeit eines durchstimmbaren…

TOPTICA erwirbt FBH-Ausgründung eagleyard Photonics

/forschung/forschungsnews/toptica-erwirbt-fbh-ausgruendung-eagleyard-photonics

Zwei führende Unternehmen aus den Optischen Technologien rücken noch enger zusammen:TOPTICA aus München und das Berliner Unternehmen eagleyard Photonics.

Verbesserte Eigenschaften von UV-LEDs mit Emission um 300 nm

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Das FBH entwickelt UV-Leuchtdioden und konnte zuletzt die Betriebseigenschaften der Bauelemente deutlich verbessern. Diese UV-LEDs könnten künftig bei Anwendungen wie der Trocknung und Härtung von…

Lange Nacht der Wissenschaften am FBH

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Mit vielen spannenden Führungen und Mitmachexperimenten für Groß und Klein.

Forschung unter Schwerelosigkeit – Aktuelle Ergebnisse von der ISS

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Christian Stenzel, EADS Astrium GmbH

Heterogene Integration von Millimeterwellen-Schaltungen in InP-SiGe BiCMOS Technologie

/termine/heterogene-integration-von-millimeterwellen-schaltungen-in-inp-sige-bicmos-technologie

Dr. Tomas Krämer, Ferdinand-Braun-Institut

Thermische Charakterisierung von GaN-Transistoren

/termine/thermische-charakterisierung-von-gan-transistoren-1

Rimma Zhytnytska, Ferdinand-Braun-Institut