GaAs-Laserdioden

In unseren Reinräumen verfügen wir über Prozesslinien, mit denen wir Rippenwellenleiter- (RW), Breitstreifen- (BA) und Trapez-Diodenlaser sowie Laserbarren herstellen. Dafür bieten wir die zugehörigen Prozessmodule sowie BA-Short-Loop-Prozesse zur Charakterisierung von Laserschichtstrukturen aus der Epitaxie an. Für frequenzstabilisierte Diodenlaser (DFB- und DBR-Laser) bringen wir zusätzlich Gitterstrukturen in den Laserresonator ein.

Prozesse und Verfahren

GaAs-Laserdioden stellen wir in den Reinräumen her, die von der Abteilung Prozesstechnologie betrieben werden. Dafür nutzen wir Prozess-Einzelschritte, die auf GaAs-Laserdioden optimiert sind.

TEM-Aufnahme eines epitaktisch überwachsenden DFB-Gitters
TEM-Aufnahme eines epitaktisch überwachsenden DFB-Gitters
REM-Aufnahme eines geätzten Oberflächen-Gitters
REM-Aufnahme eines geätzten Oberflächen-Gitters
  • Kontakt- und Projektionslithografie einschließlich periodischer Strukturen mit Strukturgrößen bis zu 500 nm
  • Elektronenstrahl-Lithografie für Gitterstrukturen und Ridges mit Critical Dimension (CD) von 70 nm
  • Ionen-Implantation zur Stromführung
  • nass- und trockenchemische Ätzverfahren zur Realisierung von Wellenleitern
  • Sputterverfahren und PECVD zum Aufbringen von Isolatorschichten.
  • Aufdampf- und Sputterverfahren für p- und n-Kontakte
  • elektrochemische Abscheidung von Gold
  • Backend-Prozess (Abdünnen, automatisiertes Ritzen und Brechen)
  • Vereinzelung von Wafern zu Barren im Ultrahochvakuum und Passivierung der Facettenoberflächen, durch epitaktische Beschichtung (MBE) mit Zinkselenid, ohne das Ultrahochvakuum zu verlassen.
  • Vereinzelung von Wafern zu Barren an Luft mit anschließender Wasserstoffplasmareinigung und Passivierung der Facettenoberflächen, durch epitaktische Beschichtung (MBE) mit Zinkselenid, im Ultrahockvakuum.
  • Facettenbeschichtungen mittels Ionenstrahl-Sputtern für Reflexionsgrade im Bereich ≤ 10-4 bis > 98%