Montage von III/V-Elektronikbauelementen
Wir montieren diskrete GaN-Mikrowellen-Transistoren mit Leistungen bis 100 W sowie MMICs bis in den mm-Wellenbereich - als Voraussetzung für die umfassende Charakterisierung, Alterung und anschließende Lieferung an Kunden und Partner. Hinzu kommen GaN-/GaO-Leistungsbauelemente und State-of-the-Art-Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid für Terahertz-Anwendungen sowie von Indiumphosphid für Modulapplikationen.
Floating-Ground RF Power GaN-HEMT
Hybrid integrierte GaN-Halbbrücke
Digitaler GaN-Leistungsverstärker
GaN-basierte Halbbrücke für Wechselrichter (Stromrichter)
GaN-basierter THz-Kamerachip
Herausforderungen beim Aufbau dieser Bauelemente
- thermisches Management bei Leistungsbauelementen (Sicherstellen eines niedrigen Wärmewiderstands)
- Packaging für hohe Leistung und zugleich hohe Frequenzen (u.a. Handling hoher Ströme, Erzielen von möglichst geringen parasitären Effekten)
- elektrische Stabilität (möglichst geringe Schwingneigung)
- Drahtbonden bei hoher Strombelastung der Bonds
Hier finden Sie technische Details und weitere Informationen zu den am FBH realisierten elektronischen Bauelementen.