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Neues elektro-thermisches Modell zur Beschreibung von GaN-HEMT-Leistungstransistoren
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GaN-Mikrowellen-Leistungstransistoren bestehen aus mehreren Zellen, die sich wiederum aus mehreren Fingern zusammensetzen. Um das Zusammenwirken der einzelnen Zellen analysieren und optimieren zu…
Ohmsche Rückseitenkontakte für blau emittierende Laserdioden
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Das FBH entwickelte eine Technologie zur Herstellung ohmscher Kontakte auf der N-polaren GaN-Oberfläche, die problemlos in die Fabrikationskette einer RW-Laserdiode integriert werden kann.
500 V Schaltbetrieb mit GaN-HFETs
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Aktuelle Entwicklungen für elektronische Leistungskonverter zielen darauf, den Wirkungsgrad zu erhöhen und die Systemgröße zu reduzieren, sowohl im Hinblick auf das Gewicht als auch das Volumen. Das…
Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 671 nm für die Shifted Excitation Raman Differenz Spektroskopie
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Mit "Shifted Excitation Raman Differenz Spektroskopie (SERDS)" lassen sich Raman-Signale von einem Störsignal trennen. Das Ferdinand-Braun-Institut hat dieses Konzept weiterentwickelt und…
Detektoren zur hochempfindlichen Messung von UV-C-Strahlung
/forschung/forschungsnews/detektoren-zur-hochempfindlichen-messung-von-uv-c-strahlung
UV-Strahlung kommt in vielfältigen Anwendungen zum Einsatz. Meist muss dabei die Leistung in einem bestimmten Wellenlängenbereich überwacht werden. Das FBH hat dafür AlGaN-Photodetektoren entwickelt,…
18th Microscopy of Semi-Conducting Materials
/termine/18th-microscopy-of-semi-conducting-materials
Konferenz zur Untersuchung struktureller und elektronischer Eigenschaften von Halbleitermaterialien.
Energiequellen der Zukunft: Neuartige Diodenlaser für Ultrahochleistungslaser-Anwendungen
/media-center/presseinformationen/energiequellen-der-zukunft-neuartige-diodenlaser-fuer-ultrahochleistungslaser-anwendungen
Das FBH stellt auf der CLEO 2013 aktuelle Ergebnisse seines Projekts CryoLaser vor. CryoLaser wurde als "hot topic" für das zentrale Presse-Event der renommierten Fachkonferenz in San Jose, USA,…
WOCSDICE 2013
/forschung/forschungsnews/wocsdice-2013-1
Im Fokus der diesjährigen 37. WOCSDICE (Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits) standen aktuelle Entwicklungstrends bei Bauelementen auf Basis von Verbindungshalbleitern.…
Spannungskompensierende AlGaAsP-Schichten in GaAs-basierten Kantenemittern
/forschung/forschungsnews/spannungskompensierende-algaasp-schichten-in-gaas-basierten-kantenemittern
Kantenemittierende Halbleiter-Laserdioden für hohe optische Ausgangsleistungen werden vorzugsweise im Materialsystem GaAs/AlGaAs realisiert. Am FBH ist es nun gelungen, die Gesamtverspannung und ihre…
Leistungsfähige Mikromodule und neuartige Gittertechnologie bei roten Diodenlasern
/media-center/presseinformationen/leistungsfaehige-mikromodule-und-neuartige-gittertechnologie-bei-roten-diodenlasern
Das FBH präsentiert auf der Fachmesse Laser World of Photonics verschiedene miniaturisierte Laserstrahlquellen sowie Diodenlaser für den roten Spektralbereich, die eine neuartige Gittertechnologie…