Wide-Bandgap Electronics Department

Auf Basis der Wide-Bandgap Halbleiter GaN, AlN und Ga2O3 entwickeln und erforschen wir in unserem Department sowohl Hochfrequenz- als auch leistungselektronische Bauelemente.

Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente

Unsere AlGaN/GaN-Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung.

Wir setzen diese für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente ein:

Schalttransistoren für hohe Spannungen

GaN-, AlN- und Ga2O3-basierte Schalttransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit hohen Konverter-Schaltfrequenzen und besonders hohen Leistungsdichten.

Messtechnik & Simulation

Basis für unsere Entwicklungen sind spezielle Messtechniken und Simulationsverfahren für Leistungstransistoren. Dazu gehören dynamische Charakterisierungstechniken, verschiedene Simulationswerkzeuge sowie Zuverlässigkeitsanalysen.
 

Unsere Schwerpunkte:

  • Bauelement-Simulationen: physikalisch orientiert sowie thermisch und mechanisch
  • Bauelement-Charakterisierung: umfassende Charakterisierung der dynamischen Eigenschaften inkl. Wärmeverteilung über ausgedehnte Leistungstransistoren und deren thermischer Impedanz
  • Analyse der Zuverlässigkeit mit angepassten Testroutinen