10. Internationale Konferenz zu Nitridhalbleitern

Das FBH ist mit mehreren Vorträgen auf der International Conference on Nitride Semiconductors vertreten:

• MOVPE Growth of Al_xGa_l-xN with x~0.5 on Epitaxial Laterally Overgrown AlN / Sapphire Templates for UV-LEDs
• UV-C AlGaN Quantum Well Lasers Grown on Sapphire and Bulk AlN Substrates
• Solar-Blind MSM Photodetectors on Patterned Sapphire Templates with Al_xGa_(l-x)N Absorbers for 0.4<x<1  
• High-current Operation of Flip-chip UV-B LEDs Emitting at 295 nm

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Konferenz: 25.-30.08.2013 Washington, USA