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Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs
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Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs (InAlGa)N-basierte Leuchtdioden (LEDs), die Strahlung im UV-B-Spektralbereich (280 – 320 nm) emittieren, sind eine…
Rot-emittierender Master-Oszillator Power-Amplifier für Holographie
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Rot-emittierender Master-Oszillator Power-Amplifier für Holographie Für dreidimensionale Hologramme benötigt man Laser, die sichtbares kohärentes Lichts liefern. Dafür reichten bislang die…
Strukturierung von 100 mm Saphir-Substraten zur Erzeugung von semipolaren (11-22) GaN-Templates
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Strukturierung von 100 mm Saphir-Substraten zur Erzeugung von semipolaren (11-22) GaN-Templates Am FBH wurde ein Verfahren - eine Kombination fotolithografischer und plasmaätztechnischer Prozesse -…
In Richtung Ka-Band: 20 GHz von GaN-HEMTs in 150 nm Gate-Technologie
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In Richtung Ka-Band: 20 GHz von GaN-HEMTs in 150 nm Gate-Technologie Satellitenverbindungen mit hohen Datenraten erfordern schnelle Transceiver im K- und Ka-Band. Im Rahmen des europäischen…
Handheld Raman-Optode mit integriertem Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 785 nm für in-situ SERDS
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Handheld Raman-Optode mit integriertem Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 785 nm für in-situ SERDS Die Raman-Spektroskopie ist eine leistungsstarke optische Messmethode zur Stoffanalyse…
AlGaN-basierte MSM UV-Fotodetektoren mit hoher Quantenausbeute bei 0 V
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AlGaN-basierte MSM UV-Fotodetektoren mit hoher Quantenausbeute bei 0 V Das AlxGa1-xN-Materialsystem ist attraktiv für die Detektion ultravioletter (UV) Strahlung. Am FBH wurden nun anhand eines…
QCW-Laserbarren mit erhöhter Leistung (2 kW) und hervorragender Konversionseffizienz (77%) bei 203 K
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QCW-Laserbarren mit erhöhter Leistung (2 kW) und hervorragender Konversionseffizienz (77%) bei 203 K Im Rahmen des CryoLaser-Projekts hat das FBH sowohl die Ausgangsleistung als auch die…
Flip-Chip Verbindungsstrukturen für den Frequenzbereich 0 bis 500 GHz
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Flip-Chip Verbindungsstrukturen für den Frequenzbereich 0 bis 500 GHz Am FBH wurden Flip-Chip-Verbindungsstrukturen mit geringen Verlusten bis zu einer Einsatzfrequenz von 500 GHz…
Konkurrenzfähige Bauelemente – UV-C-LEDs mit hoher Injektionseffizienz
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Konkurrenzfähige Bauelemente – UV-C-LEDs mit hoher Injektionseffizienz Für Anwendungen wie Wasserdesinfektion, Materialbearbeitung oder Medizintechnik ist UV-C-Strahlung mit Wellenlängen im Bereich…
7 W Piko- und Nanosekunden Rippenwellenleiter-Laserquelle bei 670 nm
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7 W Piko- und Nanosekunden Rippenwellenleiter-Laserquelle bei 670 nm Immer mehr Applikationen benötigen Pulslaser-Systeme, die optische Impulse im Bereich von 0,5 ns bis 5 ns Impulsbreite…