Suche
Sie suchen eine Publikation? Bitte nutzen Sie die spezielle Suchfunktion. Die allgemeine Suche liefert keine Ergebnisse aus wissenschaftlichen Veröffentlichungen.
Entwicklung von GaN-basierten Laserdioden für den nahen UV-Bereich
/forschung/forschungsnews/entwicklung-von-gan-basierten-laserdioden-fuer-den-nahen-uv-bereich
Entwicklung von GaN-basierten Laserdioden für den nahen UV-Bereich Am FBH werden kantenemittierende GaN-Laserdioden für den nahen ultravioletten Spektralbereich entwickelt. Basierend auf cw-fähigen…
Balancierter 20 W GaN-Leistungsverstärker für das X-Band
/forschung/forschungsnews/balancierter-20-w-gan-leistungsverstaerker-fuer-das-x-band
Balancierter 20 W GaN-Leistungsverstärker für das X-Band Leistungsverstärker stellen eine entscheidende Komponente für alle Kommunikations-, Radar- und Satellitensysteme dar. Am FBH werden…
Kompakte Diodenlasermodule mit Single-Mode-Faserausgang im Multi-Watt-Leistungsbereich
/forschung/forschungsnews/kompakte-diodenlasermodule-mit-single-mode-faserausgang-im-multi-watt-leistungsbereich
Kompakte Diodenlasermodule mit Single-Mode-Faserausgang im Multi-Watt-Leistungsbereich Im Rahmen des Verbundprojekts "FaBriDi" entwickelt das Ferdinand-Braun-Institut (FBH) fasergekoppelte…
Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs
/forschung/forschungsnews/temperatur-induzierte-degradation-von-inalgan-basierten-uv-b-leds
Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs (InAlGa)N-basierte Leuchtdioden (LEDs), die Strahlung im UV-B-Spektralbereich (280 – 320 nm) emittieren, sind eine…
Rot-emittierender Master-Oszillator Power-Amplifier für Holographie
/forschung/forschungsnews/rot-emittierender-master-oszillator-power-amplifier-fuer-holographie
Rot-emittierender Master-Oszillator Power-Amplifier für Holographie Für dreidimensionale Hologramme benötigt man Laser, die sichtbares kohärentes Lichts liefern. Dafür reichten bislang die…
Strukturierung von 100 mm Saphir-Substraten zur Erzeugung von semipolaren (11-22) GaN-Templates
/forschung/forschungsnews/strukturierung-von-100-mm-saphir-substraten-zur-erzeugung-von-semipolaren-11-22-gan-templates
Strukturierung von 100 mm Saphir-Substraten zur Erzeugung von semipolaren (11-22) GaN-Templates Am FBH wurde ein Verfahren - eine Kombination fotolithografischer und plasmaätztechnischer Prozesse -…
In Richtung Ka-Band: 20 GHz von GaN-HEMTs in 150 nm Gate-Technologie
/forschung/forschungsnews/in-richtung-ka-band-20-ghz-von-gan-hemts-in-150-nm-gate-technologie
In Richtung Ka-Band: 20 GHz von GaN-HEMTs in 150 nm Gate-Technologie Satellitenverbindungen mit hohen Datenraten erfordern schnelle Transceiver im K- und Ka-Band. Im Rahmen des europäischen…
Handheld Raman-Optode mit integriertem Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 785 nm für in-situ SERDS
/forschung/forschungsnews/handheld-raman-optode-mit-integriertem-zwei-wellenlaengen-diodenlaser-bei-785-nm-fuer-in-situ-serds
Handheld Raman-Optode mit integriertem Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 785 nm für in-situ SERDS Die Raman-Spektroskopie ist eine leistungsstarke optische Messmethode zur Stoffanalyse…
AlGaN-basierte MSM UV-Fotodetektoren mit hoher Quantenausbeute bei 0 V
/forschung/forschungsnews/algan-basierte-msm-uv-fotodetektoren-mit-hoher-quantenausbeute-bei-0-v
AlGaN-basierte MSM UV-Fotodetektoren mit hoher Quantenausbeute bei 0 V Das AlxGa1-xN-Materialsystem ist attraktiv für die Detektion ultravioletter (UV) Strahlung. Am FBH wurden nun anhand eines…
QCW-Laserbarren mit erhöhter Leistung (2 kW) und hervorragender Konversionseffizienz (77%) bei 203 K
/forschung/forschungsnews/qcw-laserbarren-mit-erhoehter-leistung-2nbspkw-und-hervorragender-konversionseffizienz-77-bei-203nbspk
QCW-Laserbarren mit erhöhter Leistung (2 kW) und hervorragender Konversionseffizienz (77%) bei 203 K Im Rahmen des CryoLaser-Projekts hat das FBH sowohl die Ausgangsleistung als auch die…