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Getting polymers in shape – microwave permittivity characterization
/forschung/forschungsnews/getting-polymers-in-shape-temperature-dependent-microwave-permittivity-characterization
Dielectric constant and loss tangent of polymer materials at microwave frequencies are important parameters for various industrial processes. Of particular interest is their temperature dependence.…
Hier gibt’s was auf die Ohren – Podcast der Langen Nacht der Wissenschaften
/termine/hier-gibts-was-auf-die-ohren-podcast-der-langen-nacht-der-wissenschaften
In diesem Jahr ist vieles anders – auch für die lange Nacht der Wissenschaften. Anstelle von Laborführungen und Mitmachexperimenten vor Ort gibt es in diesem Jahr einen Podcast. In Folge 6 der Reihe…
Sichere Satellitenkommunikation – Berliner Team gewinnt INNOspace Masters
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Am 14. Oktober hat ein Berliner Team von TU, HU und FBH die DLR Challenge gewonnen. Zudem wurde das siegreiche Projekt "QuMSeC" zum Gesamtgewinner des INNOSpace Masters 2019/20 gekürt.
Charge-shifting CCD operation enables fast Shifted Excitation Raman Difference Spectroscopy
/forschung/forschungsnews/charge-shifting-ccd-operation-enables-fast-alternating-detection-in-shifted-excitation-raman-difference-spectroscopy
A charge-shifting CCD-SERDS approach using a custom 830 nm dual-wavelength diode laser and a specialized CCD overcomes technical limitations of conventional CCD operation. It reduces…
FBH’s high-performance FET-based THz detectors reach user level
/forschung/forschungsnews/fbhs-high-performance-fet-based-thz-detectors-reach-user-level
Based on its GaN HEMT MMIC process, the FBH develops state-of-the-art TeraFETs. They work at room temperature with excellent sensitivity, comparable to classical diode-based performance. The THz…
The floating-ground transistor – a key enabler for reverse-type envelope tracking systems for space applications and 5G
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The packaged floating-ground RF power GaN-HEMT is a novel patented invention developed by FBH. It allows straightforward floating-ground RF PA designs, but also opens a whole new field of GaN based…
Entwicklung von GaN-basierten Laserdioden für den nahen UV-Bereich
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Entwicklung von GaN-basierten Laserdioden für den nahen UV-Bereich Am FBH werden kantenemittierende GaN-Laserdioden für den nahen ultravioletten Spektralbereich entwickelt. Basierend auf cw-fähigen…
Balancierter 20 W GaN-Leistungsverstärker für das X-Band
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Balancierter 20 W GaN-Leistungsverstärker für das X-Band Leistungsverstärker stellen eine entscheidende Komponente für alle Kommunikations-, Radar- und Satellitensysteme dar. Am FBH werden…
Kompakte Diodenlasermodule mit Single-Mode-Faserausgang im Multi-Watt-Leistungsbereich
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Kompakte Diodenlasermodule mit Single-Mode-Faserausgang im Multi-Watt-Leistungsbereich Im Rahmen des Verbundprojekts "FaBriDi" entwickelt das Ferdinand-Braun-Institut (FBH) fasergekoppelte…
Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs
/forschung/forschungsnews/temperatur-induzierte-degradation-von-inalgan-basierten-uv-b-leds
Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs (InAlGa)N-basierte Leuchtdioden (LEDs), die Strahlung im UV-B-Spektralbereich (280 – 320 nm) emittieren, sind eine…