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Raman-Messsysteme
/forschung/photonik/laser-uv-led-systeme/raman-messsysteme
Die Raman-Spektroskopie ist eine bewährte Methode, um Proben zerstörungsfrei identifizieren. Um dieses Verfahrens auch jenseits von Laboren nutzen zu können und weitere Anwendungsgebiete zu…
Pumplaser der Kilowatt-Klasse
/forschung/photonik/laser-uv-led-systeme/kw-klasse-pumplaser
Unsere Pumpmodule für Hochenergie-Kurzpulslasersysteme bestehen aus Diodenlaserstacks. Damit lässt sich die Strahlung einzelner Emitter mittels optischer Komponenten zu einem Strahlenbündel…
Lichtquellen für STED- & Fluoreszenzspektroskopie
/forschung/photonik/laser-uv-led-systeme/lichtquellen-fuer-sted-fluoreszenzspektroskopie
Im biomedizinischen Bereich werden hochauflösende bildgebende Verfahren mittels Fluoreszenzfarbstoffen eingesetzt. Für derartige Anwendungen entwickeln wir die geeigneten Laserquellen mit einer…
InP-BiCMOS-Heterointegration
/forschung/iii/v-elektronik/technologien-prozesse/inp-bicmos-heterointegration
Zur Systemintegration müssen Terahertz-Schaltkreise aufgebaut und beispielsweise mit Antennenstrukturen verbunden werden. Diese Aufbauten und Verbindungen müssen eine möglichst hohe Bandbreite…
Leistungselektronische Messverfahren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/leistungselektronische-messverfahren
Leistungshalbleiter in GaN- und Ga2O3-Technologie entwickeln wir im Rahmen unseres Joint Lab Power Electronics in enger Zusammenarbeit mit dem Institut für Energie und Automatisierungstechnik,…
Galliumoxid-Leistungstransistoren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/galliumoxid-leistungstransistoren
frequent - wide bandgap devices Die Anforderungen an höhere Spannungsfestigkeiten von elektronischen Bauteilen in der Leistungselektronik steigen. Daher befassen wir uns intensiv mit neuen…
Laterale AlN-Transistoren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/laterale-aln-transistoren
GaN-basierte Schalttransistoren für leistungselektronische Anwendungen haben die Materiallimits bezüglich des Einschaltwiderstands bei gegebener Sperrspannung noch nicht erreicht. Eine Ursache…
Vertikale GaN-Transistoren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/vertikale-gan-transistoren
Hochleistungs-Halbleiterbauelemente werden in Konvertersystemen zur Leistungswandlung und als Treiber für optische Lasersysteme mit hoher Leistung eingesetzt. Eine vertikale Topologie der…
Laterale GaN-Transistoren & Halbbrücken
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/laterale-gan-transistoren-halbbruecken
GaN-basierte lateral aufgebaute Transistoren, sogenannte AlGaN/GaN-HEMTs, nutzen das zweidimensionale Elektronengas (2DEG) als Transistorkanal und ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit…
InP-HBT-Transceiver
/forschung/iii/v-elektronik/terahertz-komponenten-systeme/inp-hbt-transceiver
Entwurf elektronischer Komponenten & Module Das FBH zielt darauf kompakte hoch-performante InP MMIC-Transceiver bis zu Terahertz-Frequenzen bereitzustellen. Wir beschäftigen uns mit MMIC-Chipentwurf…