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Raman-Messsysteme
/forschung/photonik/laser-uv-led-systeme/raman-messsysteme
Die Raman-Spektroskopie ist eine bewährte Methode, um Proben zerstörungsfrei identifizieren. Um dieses Verfahrens auch jenseits von Laboren nutzen zu können und weitere Anwendungsgebiete zu…
Lichtquellen für STED- & Fluoreszenzspektroskopie
/forschung/photonik/laser-uv-led-systeme/lichtquellen-fuer-sted-fluoreszenzspektroskopie
Im biomedizinischen Bereich werden hochauflösende bildgebende Verfahren mittels Fluoreszenzfarbstoffen eingesetzt. Für derartige Anwendungen entwickeln wir die geeigneten Laserquellen mit einer…
InP-BiCMOS-Heterointegration
/forschung/iii/v-elektronik/technologien-prozesse/inp-bicmos-heterointegration
Zur Systemintegration müssen Terahertz-Schaltkreise aufgebaut und beispielsweise mit Antennenstrukturen verbunden werden. Diese Aufbauten und Verbindungen müssen eine möglichst hohe Bandbreite…
Leistungselektronische Messverfahren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/leistungselektronische-messverfahren
Leistungshalbleiter in GaN- und Ga2O3-Technologie entwickeln wir im Rahmen unseres Joint Lab Power Electronics in enger Zusammenarbeit mit dem Institut für Energie und Automatisierungstechnik,…
Galliumoxid-Leistungstransistoren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/galliumoxid-leistungstransistoren
frequent - wide bandgap devices Aufgrund der steigenden Anforderungen an höheren Spannungsfestigkeiten von elektronischen Bauteilen in der Leistungselektronik befasst sich das FBH intensiv mit…
Laterale AlN-Transistoren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/laterale-aln-transistoren
GaN-basierte Schalttransistoren für leistungselektronische Anwendungen haben die Materiallimits bezüglich des Einschaltwiderstands bei gegebener Sperrspannung noch nicht erreicht. Eine Ursache…
Vertikale GaN-Transistoren
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/vertikale-gan-transistoren
GaN Leistungsbauelemente werden in Hochleistungs-Stromwandlersystemen sowie als Treiber für optische Hochleistungslasersysteme eingesetzt. Für solche Bauelemente ist eine vertikale Topologie…
Laterale GaN-Transistoren & Halbbrücken
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/laterale-gan-transistoren-halbbruecken
GaN-basierte lateral aufgebaute Transistoren, sogenannte AlGaN/GaN-HEMTs, nutzen das zweidimensionale Elektronengas (2DEG) als Transistorkanal und ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit…
InP-HBT-Transceiver
/forschung/iii/v-elektronik/terahertz-komponenten-systeme/inp-hbt-transceiver
Entwurf elektronischer Komponenten & Module Das FBH zielt darauf kompakte hoch-performante InP MMIC-Transceiver bis zu Terahertz-Frequenzen bereitzustellen. Wir beschäftigen uns mit MMIC-Chipentwurf…
Elektromagnetische Simulation
/forschung/iii/v-elektronik/hf-expertise-anwendungen/elektromagnetische-simulation
Berechnung von elektromagnetischen Feldern.