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Diode laser based light sources for biomedical applications
/forschung/publikationen/diode-laser-based-light-sources-for-biomedical-applications
Diode lasers are by far the most efficient lasers currently available. With the ever-continuing improvement in diode laser technology, this type of laser has become increasingly attractive for a wide…
Höhere Ausbeute durch Laserritzen beim Herstellen von Spaltfacetten bei GaN-basierten Laserdioden
/forschung/forschungsnews/hoehere-ausbeute-durch-laserritzen-beim-herstellen-von-spaltfacetten-bei-gan-basierten-laserdioden
GaN-basierte Laserdioden erfordern atomar glatte und parallele Spiegelfacetten. Das Spalten ist bei den meisten Halbleitersystemen die dafür bevorzugte Methode, da der Kristall dabei entlang seiner…
Millimeterwellen MMIC-Signalerzeugung und Leistungsverstärkung
/forschung/forschungsnews/millimeterwellen-mmic-signalerzeugung-und-leistungsverstaerkung
Die Erzeugung von Signalleistung und deren Verstärkung im W-Band und darüber ist eine Schlüsseltechnologie für vielfältige Anwendungen im Bereich der zerstörungsfreien Prüfung, der Medizintechnik,…
Large and packaged Transistors
/forschung/publikationen/large-and-packaged-transistors
Large and packaged Transistors J. Engelmann1, F.-J. Schmückle1, M. Rudolph2 1 Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Straße 4,…
High-power, spectrally stabilized, near-diffraction-limited 970 nm laser light source based on truncated-tapered semiconductor optical amplifiers with low confinement factors
/forschung/publikationen/high-power-spectrally-stabilized-near-diffraction-limited-970nbspnm-laser-light-source-based-on-truncated-tapered-semiconductor-optical-amplifiers-with-low-confinement-factors
High-power spectrally single-moded coherent emission with high beam quality is demonstrated using a master-oscillator (MO) power-amplifier (PA) system. The MO is a single-moded distributed Bragg…
Indium incorporation and emission wavelength of polar, nonpolar and semipolar InGaN quantum wells
/forschung/publikationen/indium-incorporation-and-emission-wavelength-of-polar-nonpolar-and-semipolar-ingan-quantum-wells
InGaN quantum wells were grown by metal organic vapor-phase epitaxy on polar (0 0 0 1), nonpolar (1 0 1 0) and on semipolar (1 0 1 2), (1 1 2 2), (1 0 1 1) as well as (2 0 2 1) oriented GaN…
Application of 940 nm high-power DFB lasers for line-broadening measurements at normal pressure using a robust and compact setup
/forschung/publikationen/application-of-940-nm-high-power-dfb-lasers-for-line-broadening-measurements-at-normal-pressure-using-a-robust-and-compact-setup
High-power distributed-feedback (DFB) lasers for the wavelength range near 940 nm (i.e. about 10,600 cm-1) were used for line-broadening measurements of individual rotational-vibrational absorption…
Reliable Operation for 14 500 h of a Wavelength-Stabilized Diode Laser System on a Microoptical Bench at 671 nm
/forschung/publikationen/reliable-operation-for-14nbsp500nbsph-of-a-wavelength-stabilized-diode-laser-system-on-a-microoptical-bench-at-671nbspnm
Reliability tests for wavelength-stabilized compact diode laser systems emitting at 671 nm are presented. The devices were mounted on microoptical benches with the dimensions of…
Femtosecond diode-pumped solid-state laser with a repetition rate of 4.8 GHz
/forschung/publikationen/femtosecond-diode-pumped-solid-state-laser-with-a-repetition-rate-of-48-ghz
We report on a diode-pumped Yb:KGW (ytterbium-doped potassium gadolinium tungstate) laser with a repetition rate of 4.8 GHz and a pulse duration of 396 fs. Stable fundamental modelocking is…
Experimental and theoretical analysis of the dominant lateral waveguiding mechanism in 975 nm high power broad area diode lasers
/forschung/publikationen/experimental-and-theoretical-analysis-of-the-dominant-lateral-waveguiding-mechanism-in-975-nm-high-power-broad-area-diode-lasers
For maximum fibre-coupled power, high power broad area diode lasers must operate with small lateral far field angles at high continuous wave (CW) powers. However, these structures are laterally…