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Zahlen & Fakten

Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin
Tel. +49 30 63922600
E-Mail fbh(at)fbh-berlin.de
Web www.fbh-berlin.de

Institutsleitung

Prof. Dr. Günther Tränkle (wissenschaftlicher Geschäftsführer)
Tel. +49 30 634922601, guenther.traenkle(at)fbh-berlin.de

Christian Köhler-Ma (administrativer Geschäftsführer)

1992   gegründet

Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft

350   Mitarbeiter*innen

inklusive 150 Wissenschaftler*innen,
30 studentische Hilfskräfte

39.1   Mio. € Umsatz (2020)

19,1 Mio. € Grundfinanzierung
20,0 Mio. € Drittmittel
(davon 9,8 Mio. € Einnahmen aus industrieller Auftragsforschung)

Forschungsauftrag & Kompetenzen

  • Kompetenzzentrum für III/V-Halbleiter - eine der leistungsfähigsten und größten Unternehmungen in Europa
  • anwendungsorientierte und industrienahe Forschung in Mikrowellentechnik und Optoelektronik

  • Hochleistungs-Diodenlaser: Breitstreifen & Barren
  • Hochbrillante & spektral schmalbandige Diodenlaser
  • Hybride Lasermodule (CW & gepulst): NIR bis UV-Spektralbereich, u.a. für Biophotonik, Lasersensorik, Lasermetrologie, Quantensensorik ...
  • Nitrid-Laserdioden für den blauen & UV-Spektralbereich
  • Kurzwellige UV-Leuchtdioden, u.a. für Sensorik, Desinfektion Medizin & Produktionstechnik, ...

  • Elektrooptische Komponenten & hybrid mikrointegrierte Module
  • Integrierte Quantensensoren auf Basis atomarer Gase
  • Nanostrukturierte Diamantsysteme & -materialien
  • Quantenemitter & nanofabrizierte Lichtwellenleiterchips

  • GaN-Mikrowellentransistoren & -MMICs
  • Neue Leistungsverstärkerkonzepte für die drahtlose Infrastruktur
  • Integrierte Schaltungen mit InP-HBTs für den Frequenzbereich 100...500 GHz (THz-Elektronik)
  • Schnelle Treiber für Laserdioden
  • Kompakte Quellen für Mikrowellenplasmen
  • GaN-Leistungselektronik

  • Epitaxie (MOVPE) von GaAs- & GaN-basierten Schichtstrukturen für Bauelemente
  • (Al)GaN-HVPE für Volumenkristalle
  • In-situ Kontrolltechniken bei MOVPE & HVPE
  • Komplette Prozesslinie 2" - 4" für GaAs-, InP-, SiC- & GaN-Bauelemente inklusive Lasermikrostrukturierung
  • InP-HBT-Technologie für Millimeterwellen- & THz-Anwendungen, heterointegrierter SiGe-BiCMOS/InP-HBT-Foundryprozess mit dem IHP
  • Aufbau- & Verbindungstechnik

Outreach

Partner von

  • Technische Universität Berlin
  • Humboldt-Universität zu Berlin
  • Goethe-Universität Frankfurt am Main
  • Universität Duisburg-Essen
  • Brandenburgische Technische Universität Cottbus-Senftenberg
  • Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD)
  • Zwanzig20-Konsortium „Advanced UV for Life“ (Koordination am FBH)
  • iCampµs
  • Cluster Optik Berlin-Brandenburg
  • ...