WOCSDICE 2013

Aktuelle Entwicklungstrends bei Bauelementen auf Basis von Verbindungshalbleitern standen im Fokus der diesjährigen 37. WOCSDICE (Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits). Die vom Ferdinand-Braun-Institut organisierte Konferenz fand vom 26.-29. Mai 2013 in Warnemünde mit mehr als 85 Teilnehmenden statt – die Besucherinnen und Besucher kamen vorwiegend aus Europa, gut 20% reisten aus Asien und den USA an.

Der Schwerpunkt des diesjährigen, breit gefächerten Vortragsprogramms lag auf Entwicklungen aus der GaN-Leistungselektronik, die das große Potenzial der Technologie für künftige energieeffiziente Leistungswandler zeigten. Hervorzuheben sind die Sessions zur THz-Technologie sowie zu den Möglichkeiten, Verbindungshalbleiter auf Silizium als aktive Schaltelemente in extrem hochintegrierten Halbleitergenerationen einzusetzen – damit lassen sich die  Grenzen der konventionellen Si-Technologien erweitern. Beeindruckende Ergebnisse auf dem Gebiet von Graphen-Transistoren, Spintronic-Bauelementen und optoelektronischen Bauelementen rundeten das Programm ab. Die Sessions wurden üblicherweise durch eingeladene, hochkarätige Wissenschaftler aus Europa, Asien oder USA eröffnet. Sie führten in das spezifische Themenfeld ein, ergänzt von weiteren Vorträgen.

Eine der Besonderheiten der WOCSDICE besteht in der ausführlichen Diskussion der Tagungsbeiträge. Dies schafft eine sehr interaktive Atmosphäre mit intensivem Erfahrungsaustausch. Vor allem junge Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler können sich so schnell einen umfassenden Überblick in den jeweiligen Themenfeldern verschaffen und internationale Kontakte knüpfen. Die WOCSDICE findet jedes Jahr in einem anderen europäischen Land statt, im nächsten Jahr in Griechenland.

FBH-Nachricht: 06.06.2013