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Suchergebnisse 1631 bis 1640 von 1839

FBH-Publikation für IOP Select und Labtalk ausgewählt

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Eine Veröffentlichung von P. Crump und anderen Autoren aus dem FBH wurde von der Redaktion für IOP Select und Labtalk ausgewählt. Kriterien sind besonders hoher Neuheitswert etc. Wir gratulieren den…

Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien

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Zwei Leibniz-Institute, das FBH und das IHP, haben technologisches Neuland betreten und ihre – bislang getrennten – Technologiewelten erfolgreich verbunden. Die im HiTeK-Projekt entwickelten…

Neue Ausgründung am FBH: Dünne Schichten bei Atmosphärendruck abscheiden

/forschung/forschungsnews/neue-ausgruendung-am-fbh-duenne-schichten-bei-atmosphaerendruck-abscheiden

In zahlreichen Produkten wie Mobiltelefonen, Brillen oder Flachbildschirmen finden sich dünne Schichten, die durch Kathoden­zerstäubung hergestellt werden. Dafür sind bislang große und auf­wändige…

Epitaxial growth of (Al)InGaN heterostructures on semipolar GaN for light emitter applications

/termine/epitaxial-growth-of-alingan-heterostructures-on-semipolar-gan-for-light-emitter-applications

Epitaxial growth of (Al)InGaN heterostructures on semipolar GaN for light emitter applications Simon PlochTU Berlin 14.12.2012 (in Englisch)

Optische Freiraumübertragung innerhalb von Gebäuden für mobile Anwendungen

/termine/optische-freiraumuebertragung-innerhalb-von-gebaeuden-fuer-mobile-anwendungen

Optische Freiraumübertragung innerhalb von Gebäuden für mobile Anwendungen Prof. Dr.-Ing. Andreas CzylwikUniversität Duisburg-Essen 07.12.2012

Technology, Characterization, and Simulation of InAlN/GaN HEMTs

/termine/technology-characterization-and-simulation-of-inalngan-hemts

Technology, Characterization, and Simulation of InAlN/GaN HEMTs Dr. Vassil Palankovski / Dr. Jan KuzmikTU Wien / Slovak Academy of Sciences 30.11.2012 (in Englisch)

FBH auf der Photonics West

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Das Ferdinand-Braun-Institut ist auf der weltweit führenden Fachmesse mit zahlreichen Vorträgen und Veröffentlichungen vertreten.

3-dimensionale Integration von SiGe-BiCMOS und InP-HBT-Technologie

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Aktuelle Ergebnisse der im "HiTeK"-Projekt hergestellten Höchstfrequenzschaltkreise auf der Basis von InP-HBTs belegen die Leistungsfähigkeit der entwickelten Technologieplattform für…

Schnelles und effizientes Schalten mit GaN-Leistungstransistoren

/forschung/forschungsnews/schnelles-und-effizientes-schalten-mit-gan-leistungstransistoren

Das FBH entwickelt selbstsperrende, auf der p-GaN Gate-Technologie basierende GaN-Transistoren. Mit 150 mm Gateweite wurden Schalttransistoren realisiert, die bei 300 V Sperrfähigkeit einen…

III-V-Halbleiter-Nanodrähte für den Einsatz in effizienten Solarzellen und Lichtemittern

/termine/iii-v-halbleiter-nanodraehte-fuer-den-einsatz-in-effizienten-solarzellen-und-lichtemittern

III-V-Halbleiter-Nanodrähte für den Einsatz in effizienten Solarzellen und Lichtemittern Prof. Franz-Josef TegudeUniversität Duisburg-Essen 23.11.2012