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FBH auf der GeMiC 2014
/termine/fbh-auf-der-gemic-2014
Das FBH präsentiert neue Arbeiten auf der German Microwave Conference.
Kompakte elektro-optische Module für portable quantenoptische Sensoren
/forschung/forschungsnews/kompakte-elektro-optische-module-fuer-portable-quantenoptische-sensoren
Christian KürbisFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Highlight-Publikation des FBH bei IOP Science
/termine/highlight-publikation-des-fbh-bei-iop-science
Die Publikation von Horia Porteanu et.al., die im vergangenen Jahr im Journal "Plasma Sources Science and Technology" veröffentlicht wurde, wurde von der Redaktion des Journals als…
K and Q-Band GaN HEMTs for space applications
/forschung/forschungsnews/k-and-q-band-gan-hemts-for-space-applications
Konstantin OsipovFerdinand-Braun-Institut, Berlin
AlGaN/GaN HFET Technology at FBH: Fabrication of Power Bars and MMICs
/forschung/forschungsnews/algangan-hfet-technology-at-fbh-fabrication-of-power-bars-and-mmics-1
Sergey A. ShevchenkoFerdinand-Braun-Institut, Berlin
DOPS-Preis für herausragende Dissertation
/forschung/forschungsnews/dops-preis-fuer-herausragende-dissertation
Am 22. Januar überreichte Lars Lindvold von der Dänischen Optischen Gesellschaft (DOPS) André Müller den DOPS-Preis 2013 für seine Dissertation.
FBH auf der Photonics West
/termine/fbh-auf-der-photonics-west-1
Auf der weltweit führenden Fachmesse für Optik und Photonik stellt das Ferdinand-Braun-Institut seine Forschungsarbeiten mit zahlreichen Vorträgen und Postern vor.
On-Wafer Measurement of Terahertz Devices and Components
/forschung/forschungsnews/on-wafer-measurement-of-terahertz-devices-and-components
Robert M. WeikleUniversity of Virginia
Die Vorhersage der Einkopplung in Low Mode Fasern anhand gemessener Wigner-Verteilungen
/forschung/forschungsnews/die-vorhersage-der-einkopplung-in-low-mode-fasern-anhand-gemessener-wigner-verteilungen
Mirko FischerFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Gut leitfähiges AlGaN:Si für UV-C-Emitter
/forschung/forschungsnews/gut-leitfaehiges-algansi-fuer-uv-c-emitter
Eine der Herausforderungen bei der Entwicklung von UV-C-Leucht- und -Laserdioden ist die Realisierung von n- und p-leitfähigen AlGaN-Schichten mit hohem Al-Gehalt. Am FBH wurden durch…