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Verbesserung der spektralen Performance von Extended Cavity Diodenlasern durch den Einsatz von Laserchips mit gebogenem Rippenwellenleiter

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Für die Performance der ECDLs ist die spektrale Reinheit einer der fundamentalen Parameter. Ein Ansatz zur Verbesserung der Seitenmodenunterdrückung bei ECDLs ist der Einsatz von Diodenlaserchips mit…

FBH auf der Photonics West

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Auf der weltweit führenden Fachmesse für Optik und Photonik ist das FBH mit einer Fülle von Beiträgen vertreten und stellt seine Forschungsarbeiten vor.

Datenhighway im Weltall mit Lasern aus dem FBH

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Kürzlich wurde das Europäischen Datenrelais-System EDRS-A erfolgreich gelauncht - ein Meilenstein bei der Errichtung einer optischen Datenautobahn im All. Mit an Bord ist erneut ein Diodenlaser aus…

Plasmonische GaN-Detektoren für den THz-Bereich

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Das FBH arbeitet an der Entwicklung von breitbandigen THz-Detektoren. Dabei wird der FBH-GaN-MMIC-Prozess verwendet, um Epitaxie und Transistoren für die speziellen Erfordernisse der THz-Detektion…

Development of Ka-band MMIC fabrication technology – current status and future trends

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Development of Ka-band MMIC fabrication technology – current status and future trends Konstantin OsipovFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Plasmonic Devices: Aktueller Stand und Ausblick

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Plasmonic Devices: Aktueller Stand und Ausblick Adam RämerFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Einstein auf dem Prüfstand – zwei Präzisionsexperimente mit Lasern aus Berlin im Weltraum

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Erfolgreiche Tests der Projekte KALEXUS und FOKUS an Bord der Forschungsrakete TEXUS-53 in Schwerlosigkeit durchgeführt.

Wie allgemein ist die Allgemeine Relativitätstheoriee

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Egal ob Feder, Apfel oder Ziegelstein: Im Vakuum, wenn es keine Reibung mehr gibt und nur noch die Gravitation wirkt, fallen alle Körper gleich schnell. Einsteins Allgemeine Relativitätstheorie,…

Michael Kneissl ist neuer IEEE-Fellow

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Im Januar 2016 wurde Michael Kneissl für seine Beiträge zur Entwicklung von Halbleiterlaserdioden großer Bandlücke und UV-LEDs in den Kreis der IEEE-Fellows aufgenommen.

Advanced Power Semiconductor Laboratory - new at ETH Zürich, Switzerland

/termine/advanced-power-semiconductor-laboratory-new-at-eth-zuerich-switzerland

Advanced Power Semiconductor Laboratory - new at ETH Zürich, Switzerland Prof. Dr. Ulrike GrossnerETH Zürich