Suche
Sie suchen eine Publikation? Bitte nutzen Sie die spezielle Suchfunktion. Die allgemeine Suche liefert keine Ergebnisse aus wissenschaftlichen Veröffentlichungen.
Konzert LichtBlicke
/termine/konzert-lichtblicke
Das Konzert zum Schreibwettbewerb mit Gastauftritt von Elen (Voice of Germany).
UV-C-AlGaN-Photodetektoren mit Kantenwellenlängen unter 220 nm
/forschung/forschungsnews/uv-c-algan-photodetektoren-mit-kantenwellenlaengen-unter-220-nm
UV-Strahlung wird bei vielen Anwendungen mithilfe von Photodetektoren (PD) in einem bestimmten Wellenlängenbereich überwacht. Wir haben unsere Studien zu PDs weitergeführt, die nur im unteren…
Plasmonische GaN-Detektoren und -Emitter für den THz-Bereich
/forschung/forschungsnews/plasmonische-gan-detektoren-und-emitter-fuer-den-thz-bereich
Am FBH laufen mehrere Projekte auf dem Gebiet der Detektion und Emission bei THz-Frequenzen mithilfe von GaN-HEMTs. Dieser Frequenzbereich eröffnet eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der…
GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren
/forschung/forschungsnews/gaas-basierte-phasenmodulatoren-bei-780-nm-wellenlaenge-eine-alternative-zu-kristallbasierten-modulatoren
Chipbasierte Phasenmodulatoren ermöglichen es, Phasensteuerung und Modulation in hybride Lasersyteme und Spektroskopiemodule zu mikrointegrieren. Phasenmodulatoren auf Basis von…
UV-B-LEDs mit hoher Robustheit und Zuverlässigkeit
/forschung/forschungsnews/uv-b-leds-mit-hoher-robustheit-und-zuverlaessigkeit
Um die Lebensdauer heute verfügbarer UV-B-LEDs zu erhöhen, werden am FBH ausgedehnte Stresstests durchgeführt. Dabei werden relevante Degradationsmechanismen studiert - die ersten Ergebnisse sind…
Optische Polarisation in AlGaN – von Materialeigenschaften bis zur Vorhersage der Emissionseigenschaften optoelektronischer Bauelemente
/forschung/forschungsnews/optische-polarisation-in-algan-von-materialeigenschaften-bis-zur-vorhersage-der-emissionseigenschaften-optoelektronischer-bauelemente
Das FBH entwickelt in enger Zusammenarbeit mit der TU Berlin AlGaN-basierte UV-Leuchtdioden und Laserdioden für den Wellenlängenbereich 200 – 350 nm. Kürzlich konnte der LED-Betrieb bis…
Verbesserte Simulation von Oberflächengittern höherer Bragg-Ordnung
/forschung/forschungsnews/verbesserte-simulation-von-oberflaechengittern-hoeherer-bragg-ordnung
Die Emissionsbandbreite von Halbleiterlasern lässt sich durch Einbringen von Bragg-Gittern in den Resonator bis in den Femtometerbereich reduzieren. Die Gitter lassen sich kostengünstig durch das…
Geringere Versetzungsdichten – Saphir-Strukturierung für GaN/AlGaN-ELOG-Templates
/forschung/forschungsnews/geringere-versetzungsdichten-saphir-strukturierung-fuer-ganalgan-elog-templates
Das epitaktische Wachstum von GaN/AlGaN-Schichten bei der Herstellung von UV-LEDs gewinnt zunehmend an Bedeutung. Um die interne Quanteneffizienz der Lichtemitter zu verbessern, muss die…
Selbstsperrende 65 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren für effiziente Energiewandlung
/forschung/forschungsnews/selbstsperrende-65-mohm-600-v-gan-schalttransistoren-fuer-effiziente-energiewandlung
Mit einem neuartigen Layout, das für eine effizientere Ausnutzung der Halbleiterfläche ausgelegt ist, wurden am FBH neue 600 V Transistoren mit geringem Einschaltwiderstand realisiert. Dieser…
750 mW Zwei-Wellenlängen-Diodenlaserlichtquelle bei 785 nm für die Raman-Spektroskopie
/forschung/forschungsnews/750-mw-zwei-wellenlaengen-diodenlaserlichtquelle-bei-785-nm-fuer-die-raman-spektroskopie
Das FBH hat ein Diodenlasersystem entwickelt, das Licht auf zwei nahe beieinander liegenden Wellenlängen um 785 nm emittiert. Diese Lichtquelle ist ideal für die Shifted Excitation Raman…