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Geringere Versetzungsdichten – Saphir-Strukturierung für GaN/AlGaN-ELOG-Templates
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Das epitaktische Wachstum von GaN/AlGaN-Schichten bei der Herstellung von UV-LEDs gewinnt zunehmend an Bedeutung. Um die interne Quanteneffizienz der Lichtemitter zu verbessern, muss die…
Selbstsperrende 65 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren für effiziente Energiewandlung
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Mit einem neuartigen Layout, das für eine effizientere Ausnutzung der Halbleiterfläche ausgelegt ist, wurden am FBH neue 600 V Transistoren mit geringem Einschaltwiderstand realisiert. Dieser…
750 mW Zwei-Wellenlängen-Diodenlaserlichtquelle bei 785 nm für die Raman-Spektroskopie
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Das FBH hat ein Diodenlasersystem entwickelt, das Licht auf zwei nahe beieinander liegenden Wellenlängen um 785 nm emittiert. Diese Lichtquelle ist ideal für die Shifted Excitation Raman…
AlGaN-basierte Halbleiterlaser mit Emission im tiefen ultravioletten Spektralbereich
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Kompakte Halbleiterlaser, die im UV-C-Spektralbereich ≤ 280 nm emittieren, sind u.a. für die medizinische Diagnostik und die Materialbearbeitung attraktiv. Die Realisierung solcher Laser…
940 nm QCW Pumpmodule mit 6 kW Lichtleistung am Faserausgang
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Das FBH hat fasergekoppelte Pumpmodule für ein CPA-Scheibenlasersystem mit hoher Repetitionsrate im Joule-Bereich entwickelt. Die Diodenlaser-Pumpmodule sind für 6 kW, 1 ms-Impulse mit…
Selbstsperrende 75 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren auf SiC- und Si-Substraten
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GaN-basierte Leistungstransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit besonders hoher Leistungsdichte. Das FBH hat nun seine 600-V-Technologie für selbstsperrende…
Digitale Doherty-Sendeverstärker für die mobile Infrastruktur des SDR der Zukunft
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Digitale Verstärkerkonzepte sind besonders attraktiv, wenn die drahtlose Infrastruktur weiter optimiert werden soll. Werden nämlich alle Signale bis zur Endstufe digital verarbeitet, vereinfacht das…
Laserstrahlquellen für Atominterferometrie unter Schwerelosigkeit
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Die Schwerelosigkeit eignet sich ideal für quantenoptische Experimente, da sich unter diesen Bedingungen das inzwischen mögliche Potenzial hinsichtlich Präzision und Messgenauigkeit voll ausschöpfen…
UV-LEDs mit dominanter Emission bei Wellenlängen <240 nm
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Durch ein neues Heterostrukturdesign und eine sorgfältige Optimierung der Halbleiterschichtstrukturen ist es dem FBH und der TU Berlin im Rahmen ihres Joint Labs gelungen, UV-LEDs mit einer…
Präzise Messungen mit hoher räumlicher Auflösung zur Optimierung von violett-blauen GaN-Laserdioden
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GaN-basierte Laser, die im blauen und violetten Spektralbereich emittieren, zeigen verglichen mit Infrarot-emittierenden Lasern noch immer eine geringere Ausgangsleistung und Effizienz. Um die…