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AlGaN-basierte Halbleiterlaser mit Emission im tiefen ultravioletten Spektralbereich
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Kompakte Halbleiterlaser, die im UV-C-Spektralbereich ≤ 280 nm emittieren, sind u.a. für die medizinische Diagnostik und die Materialbearbeitung attraktiv. Die Realisierung solcher Laser…
940 nm QCW Pumpmodule mit 6 kW Lichtleistung am Faserausgang
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Das FBH hat fasergekoppelte Pumpmodule für ein CPA-Scheibenlasersystem mit hoher Repetitionsrate im Joule-Bereich entwickelt. Die Diodenlaser-Pumpmodule sind für 6 kW, 1 ms-Impulse mit…
Selbstsperrende 75 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren auf SiC- und Si-Substraten
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GaN-basierte Leistungstransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit besonders hoher Leistungsdichte. Das FBH hat nun seine 600-V-Technologie für selbstsperrende…
Digitale Doherty-Sendeverstärker für die mobile Infrastruktur des SDR der Zukunft
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Digitale Verstärkerkonzepte sind besonders attraktiv, wenn die drahtlose Infrastruktur weiter optimiert werden soll. Werden nämlich alle Signale bis zur Endstufe digital verarbeitet, vereinfacht das…
Laserstrahlquellen für Atominterferometrie unter Schwerelosigkeit
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Die Schwerelosigkeit eignet sich ideal für quantenoptische Experimente, da sich unter diesen Bedingungen das inzwischen mögliche Potenzial hinsichtlich Präzision und Messgenauigkeit voll ausschöpfen…
UV-LEDs mit dominanter Emission bei Wellenlängen <240 nm
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Durch ein neues Heterostrukturdesign und eine sorgfältige Optimierung der Halbleiterschichtstrukturen ist es dem FBH und der TU Berlin im Rahmen ihres Joint Labs gelungen, UV-LEDs mit einer…
Präzise Messungen mit hoher räumlicher Auflösung zur Optimierung von violett-blauen GaN-Laserdioden
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GaN-basierte Laser, die im blauen und violetten Spektralbereich emittieren, zeigen verglichen mit Infrarot-emittierenden Lasern noch immer eine geringere Ausgangsleistung und Effizienz. Um die…
Schmalbandiges GaN-basiertes Diodenlasersystem zur Erzeugung von DUV-Laserlicht für die Ramanspektroskopie
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Am FBH wurde erstmals ein GaN-basiertes Hochleistungs-Diodenlaser-System mit einer optischen Ausgangsleistung von 400 mW und schmalbandiger Emission bei 445 nm realisiert. Mithilfe eines…
Differenzieller GaN-Leistungsoszillator für kompakte Plasmaquellen im 2,45 GHz-Frequenzband
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Leistungsoszillatoren können wesentlich zur Miniaturisierung zukünftiger Generatoren im Bereich der Mikrowellenerwärmung und Plasmatechnik beitragen, da sie das Mikrowellensignal in einer einzigen…
Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
/termine/workshop-on-organometallic-vapor-phase-epitaxy
Das FBH ist mit mehreren Beiträgen auf der OMVPE vertreten