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Präzise Messungen mit hoher räumlicher Auflösung zur Optimierung von violett-blauen GaN-Laserdioden
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GaN-basierte Laser, die im blauen und violetten Spektralbereich emittieren, zeigen verglichen mit Infrarot-emittierenden Lasern noch immer eine geringere Ausgangsleistung und Effizienz. Um die…
Schmalbandiges GaN-basiertes Diodenlasersystem zur Erzeugung von DUV-Laserlicht für die Ramanspektroskopie
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Am FBH wurde erstmals ein GaN-basiertes Hochleistungs-Diodenlaser-System mit einer optischen Ausgangsleistung von 400 mW und schmalbandiger Emission bei 445 nm realisiert. Mithilfe eines…
Differenzieller GaN-Leistungsoszillator für kompakte Plasmaquellen im 2,45 GHz-Frequenzband
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Leistungsoszillatoren können wesentlich zur Miniaturisierung zukünftiger Generatoren im Bereich der Mikrowellenerwärmung und Plasmatechnik beitragen, da sie das Mikrowellensignal in einer einzigen…
Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
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Das FBH ist mit mehreren Beiträgen auf der OMVPE vertreten
European Microwave Week 2015
/termine/european-microwave-week-2015
Das FBH ist mit diversen Konferenzbeiträgen auf der European Microwave Week vertreten.
International Conference on Nitride Semiconductors
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Das FBH ist mit mehreren Beiträgen auf der ICNS vertreten.
International Conference on Laser Ablation
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Das FBH stellt auf der Konferenz aktuelle Forschungsergebnisse vor
Optische Halbleiterverstärker der Watt-Klasse basierend auf Rippenwellenleiterstrukturen
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Am FBH ist es gelungen, mithilfe einer verbesserten Epitaxiestruktur die Leistung von Rippenwellenleiter (RW)-Verstärkern deutlich zu erhöhen. Diese können mit einem CW-betriebenen Masteroszillator…
Halbleiterlaser mit resonanter Rückkopplung erreichen intrinsische Linienbreiten unter 20 Hz
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Atomuhren höchster Präzision, atominterferometrische Experimente für die immer präzisere Messung der Naturkonstanten sowie die kohärente Freiraumkommunikation in Raumfahrt brauchen…
Höhere Ausbeute durch Laserritzen beim Herstellen von Spaltfacetten bei GaN-basierten Laserdioden
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GaN-basierte Laserdioden erfordern atomar glatte und parallele Spiegelfacetten. Das Spalten ist bei den meisten Halbleitersystemen die dafür bevorzugte Methode, da der Kristall dabei entlang seiner…