Suche
Regeln für die Suche
- Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
- Maximal 200 Zeichen insgesamt
- Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
- UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
- Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert
Prozesskette für leistungselektronische Bauelemente auf neuartigem Halbleitermaterial Aluminiumnitrid – made in Germany
/media-center/presseinformationen/prozesskette-fuer-leistungselektronische-bauelemente-auf-neuartigem-halbleitermaterial-aluminiumnitri
Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter, vom Grundmaterial bis zur Bauelementfertigung.
Compact 976 nm pump-module for 200-µm fibers based on DBR-stabilized double-emitter stacks
/forschung/forschungsnews/compact-976-nm-pump-module-for-200-um-fibers-based-on-dbr-stabilized-double-emitter-stacks
We have developed a new 500 W diode laser module concept, tailored for pumping Yb-doped fiber lasers at 976 nm. The module uses FBH’s DBR-stabilized double emitters in their proprietary…
Prozesskette für Aluminiumnitrid-Bauelemente geschaffen
/media-center/medienschau/prozesskette-fuer-aluminiumnitrid-bauelemente-geschaffen
Aluminiumnitrid (AlN) ist vielen noch nicht so bekannt, wie beispielsweise Galliumnitrid oder Siliziumkarbid. Die Eigenschaften sind jedoch hervorragend. Eine breite Bandlücke von 6,2 eV, eine sehr…
German research cluster announces AlN success
/media-center/medienschau/german-research-cluster-announces-aln-success
A new semiconductor technology based on AlN for power electronic transistors as well as mmWave radio-frequency circuits has the potential to significantly reduce losses in electrical energy…
German research cluster announces AlN success
/media-center/medienschau/german-research-cluster-announces-aln-success-1
A new semiconductor technology based on AlN for power electronic transistors as well as mmWave radio-frequency circuits has the potential to significantly reduce losses in electrical energy…
Adlershofer FBH im Team für neuartiges Halbleitermaterial
/media-center/medienschau/adlershofer-fbh-im-team-fuer-neuartiges-halbleitermaterial
"Made in Germany": Forschungspartner demonstrieren erstmals praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter
German researchers demo practical implementation of AlN-based value chain for power semiconductors
/media-center/medienschau/german-researchers-demo-practical-implementation-of-aln-based-value-chain-for-power-semiconductors
In power electronics, conventional silicon devices are being replaced by more powerful wide-bandgap (WBG) semiconductors with superior physical and electrical properties. Silicon carbide (SiC) has…
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
/media-center/medienschau/neuer-halbleiter-besser-als-sic-und-gan
Eine neue, auf Aluminiumnitrid (AlN) basierende Halbleitertechnologie für leistungselektronische Transistoren und mmWellen-Hochfrequenzschaltungen hat das Potenzial, die Verluste bei der Umwandlung…
Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid – made in Germany
/media-center/medienschau/leistungshalbleiter-mit-aluminiumnitrid-made-in-germany
Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter - vom Grundmaterial bis zur Bauelementfertigung.
Möglichkeit zur „technologischen Souveränität“ durch Aluminiumnitrid-Leistungshalbleiter
/media-center/medienschau/moeglichkeit-zur-technologischen-souveraenitaet-durch-aluminiumnitrid-leistungshalbleiter
Eine Forschungspartnerschaft hält eine deutsche Wertschöpfungskette vom Grundmaterial bis zur Bauelementefertigung für machbar. Das Material sei den zum Beispiel auch in Photovoltaik-Wechselrichtern…