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EPE 2025
/termine/epe-2025
Das FBH beteiligt sich mit einem Beitrag an der 26. European Conference on Power Electronics and Applications.
Zahlen & Fakten
/media-center/zahlen-fakten
Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin Tel. +49 30 63922600 E-Mail fbh(at)fbh-berlin.de Web…
Green ICT Camp 2025
/termine/green-ict-camp-2025
Nach dem erfolgreichen ersten Green ICT Camp am FBH findet nun das zweite Camp am Fraunhofer IIS in Nürnberg statt. 50 Studierende erwartet eine spannende Woche voller Workshops, Trainings und…
Quantum Nanophotonics
/termine/quantum-nanophotonics
Das FBH präsentiert neueste Forschungsergebnisse bei der Quantum Nanophotonics 2025.
Future 3D Additive Manufacturing
/termine/future-3d-additive-manufacturing
Auf der diesjährigen Future 3D Additive Manufacturing – The 3DMM2O Conference 2025 stellt das FBH aktuelle Forschungsergebnisse vor.
Exploration of high-temperature PECVD SiNx for strain engineering of GaN-HEMTs
/forschung/forschungsnews/exploration-of-high-temperature-pecvd-sinx-for-strain-engineering-of-gan-hemts
We demonstrate that high-temperature PECVD SiNx passivation layers enable controlled stress engineering in GaN-HEMTs. Our approach specifically shifts the threshold voltage up to 1.4 V, supporting…
Konferenz „Fachkräfte für die Mikroelektronik (#skills4chips)“
/termine/konferenz-fachkraefte-fuer-die-mikroelektronik-skills4chips
Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) lädt die Fachcommunity zur Konferenz „Fachkräfte für die Mikroelektronik (#skills4chips) – Wie der Innovationsstandort Deutschland durch das…
Time-resolved measurements of the E–H transition in a microwave driven ICP source
/forschung/publikationen/time-resolved-measurements-of-the-e-h-transition-in-a-microwave-driven-icp-source
The transition dynamics from the electrostatic to electromagnetic (E–H) coupling in a 2.45 GHz excited inductively coupled plasma (ICP) source is investigated using a set of microwave…
Dynamical simulations of single-mode lasing in large-area all-semiconductor PCSELs
/forschung/publikationen/dynamical-simulations-of-single-mode-lasing-in-large-area-all-semiconductor-pcsels
We perform modeling and dynamic simulations of all-semiconductor photonic crystal surface-emitting lasers (PCSELs). A two-dimensional photonic crystal consists of a GaAs layer with InGaP features,…
Ramsey-Bordé atom interferometry with a thermal strontium beam for a compact optical clock
/forschung/publikationen/ramsey-borde-atom-interferometry-with-a-thermal-strontium-beam-for-a-compact-optical-clock
Compact optical atomic clocks have become increasingly important in field applications and clock networks. Systems based on Ramsey-Bordé interferometry (RBI) with a thermal atomic beam seem promising…