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FBH-Publikation unter den Top 10 % der Downloads

/media-center/presseinformationen/fbh-paper-unter-den-top-10-der-downloads

“Au-Free Ohmic Contact for GaN High-Electron-Mobility Transistors” von Hossein Yazdani, Serguei Chevtchenko, Frank Brunner, Günther Tränkle und Joachim Würfl gehört zu den meistgelesenen Artikeln in p

Miniaturizing a coherent beam combining system into a compact laser diode module

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We present a laser module with dimensions of 76×43×15mm3 that for the first time to our knowledge realizes a coherent beam combination in such a compact device, using two tapered amplifiers seeded by

Targeting 6G applications in the sub-THz range – advanced InP bipolar transistor process

/forschung/forschungsnews/targeting-6g-applications-in-the-sub-thz-range-advanced-inp-bipolar-transistor-process

Joint research activities between University of Duisburg-Essen and FBH yield improved performance of InP-based technologies. These rely on optimized epitaxial material and novel process techniques. Le

Quantenforschung - Weiß der Adler

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Forschung an der Quantentechnologie ist für viele Staaten der Schlüssel zur Zukunft. Wie das funktioniert und was Quantenforschen alles können soll, darüber sprechen im Podcast "Weiß der Adler" Markus

Multi-Wellenlängen-UV-LED-Modul für die Gassensorik

/forschung/photonik/chips-laser-leds/uv-leds/multi-wellenlaengen-uv-led-modul-fuer-gassensorik

Aktuell steigt die Nachfrage nach Leuchtdioden (LEDs) im ultraviolett-C (UVC) Spektralbereich unterhalb von 255 nm. Damit lassen sich Oberflächen ebenso desinfizieren wie Flüssigkeiten und Luft

Hightech für den Strukturwandel: iCampus lädt Unternehmen zur Transferkonferenz ein

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Vom 14. bis 16. Mai 2024 diskutieren und entwickeln Forschungseinrichtungen und Unternehmen neue Projektideen: Die erste iCampusCottbusConference (iCCC) bietet den Rahmen für technologische Innovation

AES Depth Profiling of Semiconducting Epitaxial Layers with Thicknesses in the Nanometre Range Using an Ion Beam Bevelling Technique

/forschung/publikationen/aes-depth-profiling-of-semiconducting-epitaxial-layers-with-thicknesses-in-the-nanometre-range-using-an-ion-beam-bevelling-technique

An ion beam technique has been developed that allows the preparation of bevels from semiconducting hetero-epitaxial structures with smooth surfaces and very shallow angles between 0.1° and 0.001&d

Eigen mode solver for microwave transmission lines

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The electromagnetic properties of microwave transmission lines can be described using Maxwell’s equations in the frequency domain. Applying a finite-volume scheme results in an algebraic eigenvalue pr

Ticket zum neuen Job in der Wahlheimat

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Als einzigartiges Erfolgsprojekt, das sich permanent am aktuellen Bedarf der Unternehmen orientiert und sich durch seine sehr große Nähe zum Arbeitsmarkt auszeichnet, charakterisierte der Vorsitzende

SiGe MMIC’s - on the Current State-of-the-Art

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In recent years, the frequency limits of SiGe Heterostructure Bipolar Transistors (HBTs) have been extended to frequencies above 50 GHz. This opens new perspectives for Si-based monolithic circui