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Atomic-Scale Materials Engineering for Ultra-Low-Power Superconducting Electronics

/termine/atomic-scale-materials-engineering-for-ultra-low-power-superconducting-electronics

Shane Cybart, Professor of Electrical and Computer Engineering, University of California Riverside 

InP DHBT Optimization for High-Frequency Large-Signal Operation: the Type-I Grading Church vs. the Type-II Heresy, and Questions Few Want Answered

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Prof. Dr. Colombo Bolognesi, ETH Zürich

Novel GaN-based full-duplex front-end topology for communication and sensing systems

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We demonstrate a GaN-based full-duplex front-end with analog self-interference cancellation, achieving up to 52 dB suppression at 4 GHz and high transmit power levels. The concept enables…

ISLC 2026

/termine/islc-2026

Wir präsentieren neueste Forschungsergebnisse bei der 30. International Semiconductor Laser Conference.

Gain-switched electrically pumped VECSEL for picosecond pulse generation at 1030 nm

/forschung/forschungsnews/gain-switched-electrically-pumped-vecsel-for-picosecond-pulse-generation-at-1030-nm

Researchers at FBH and LZH demonstrate picosecond pulse generation from a novel gain-switched electrically pumped VECSEL. The concept enables operation in the low-MHz regime without intracavity…

NUSOD 2026

/termine/nusod-2026

Wir präsentieren aktuelle Forschungsergebnisse bei der diesjährigen Conference on Numercial Simulation of Optoelectronic Devices.

ILA 2026

/termine/ila-2026

Das FBH präsentiert Technologien für Raumfahrt- und Quantentechnologien auf der ILA 2026. Besuchen Sie uns am Berlin-Brandenburgischen Gemeinschaftsstand Halle B / Stand 310! 

FBH präsentiert Technologien für Raumfahrt- und Quantentechnologien auf der ILA 2026

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Weltraumtaugliche Diodenlaser, hochintegrierte MIMO-Radarsysteme, leistungsfähige Hochfrequenzkomponenten und robuste Quantentechnologien: Das Ferdinand-Braun-Institut zeigt auf der ILA Berlin 2026…

Lateral rutile germanium dioxide MOSFET devices for next-generation high-voltage applications

/forschung/forschungsnews/lateral-rutile-germanium-dioxide-mosfet-devices-for-next-generation-high-voltage-applications

We have demonstrated the first functional rutile germanium dioxide power transistor on single-crystal substrates. The ultra-wide bandgap material enables high breakdown voltages of 1280 V, excellent…

MIKON 2026

/termine/mikon-2026

Das FBH beteiligt sich mit einer Keynote an der diesjährigen International Microwave and Radar Conference.