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Kompakt, effizient, robust und zuverlässig: FBH-Entwicklungen für den Weltraum
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Das Ferdinand-Braun-Institut präsentiert auf der "Space Tech Expo Europe" (STEE) vom 19. bis 21. November in Bremen weltraumtaugliche, ultra-schmalbandige Diodenlaser-Module und Systeme…
Volle Wertschöpfungskette in der Mikrosystemtechnik – vom Chip bis zum Prototyp
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Das Ferdinand-Braun-Institut präsentiert auf dem MikroSystemTechnik Kongress weltraumtaugliche Diodenlaser-Module, die auf der einzigartigen Mikrointegrations-Technologie des Instituts basieren.…
Frisch gedruckt: FBH-Jahresbericht
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Die wichtigsten Ereignisse und Ergebnisse des FBH 2018/19
Nanofabrication protocols for advanced quantum photonic circuits based on self-assembled quantum dots
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Nanofabrication protocols for advanced quantum photonic circuits based on self-assembled quantum dots Tommaso PregnolatoNiels Bohr Institut, Universität Kopenhagen
Development of optical microresonators and waveguides – the basis for an error-free analyzer for Bell states
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FBH contributes its expertise in the field of process technology and has developed a design which combines sufficient mechanical stability with excellent optical properties.
Analytical description of UV-LED degradation allows to predict device lifetime
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FBH has investigated current induced degradation processes of deep UV LEDs. The derived acceleration factors point to the importance of optimizing the charge carrier distribution to improve the…
Leistung effizient erzeugen – bei hohen Frequenzen, hohen Spannungen und mit kurzen Schaltzeiten
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Das FBH präsentiert auf der "European Microwave Week" (EuMW) sein Leistungsspektrum in der III/V-Elektronik: Komponenten für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und…
From IDays to IDeas – die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland stellt ihre neuesten Technologieinnovationen vor
/media-center/presseinformationen/from-idays-to-ideas-die-forschungsfabrik-mikroelektronik-deutschland-stellt-ihre-neuesten-technologieinnovationen-vor
Unsere Zukunft selbst mitgestalten und die Mikroelektronik von übermorgen in Deutschland und Europa entwickeln – mit diesem Ziel vor Augen trafen sich Technologieexpertinnen und -experten,…
Defekte im Fokus
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Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin
Lateral β-Ga2O3 MOSFET for power switching applications with a breakdown voltage of 1.8 kV
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FBH and IKZ worked on the fabrication of lateral β-Ga2O3-based power transistors with enhanced device performance through combining optimized layer growth and improved process technology.