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InP-BiCMOS-Heterointegration

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Zur Systemintegration müssen Terahertz-Schaltkreise aufgebaut und beispielsweise mit Antennenstrukturen verbunden werden. Diese Aufbauten und Verbindungen müssen eine möglichst hohe Bandbreite…

Leistungselektronische Messverfahren

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Leistungshalbleiter in GaN- und Ga2O3-Technologie entwickeln wir im Rahmen unseres Joint Lab Power Electronics in enger Zusammenarbeit mit dem Institut für Energie und Automatisierungstechnik,…

Galliumoxid-Leistungstransistoren

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frequent - wide bandgap devices Die Anforderungen an höhere Spannungsfestigkeiten von elektronischen Bauteilen in der Leistungselektronik steigen. Daher befassen wir uns intensiv mit neuen…

Laterale AlN-Transistoren

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GaN-basierte Schalttransistoren für leistungselektronische Anwendungen haben die Materiallimits bezüglich des Einschaltwiderstands bei gegebener Sperrspannung noch nicht erreicht. Eine Ursache…

Vertikale GaN-Transistoren

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Hochleistungs-Halbleiterbauelemente werden in Konvertersystemen zur Leistungswandlung und als Treiber für optische Lasersysteme mit hoher Leistung eingesetzt. Eine vertikale Topologie der…

Laterale GaN-Transistoren & Halbbrücken

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GaN-basierte lateral aufgebaute Transistoren, sogenannte AlGaN/GaN-HEMTs, nutzen das zweidimensionale Elektronengas (2DEG) als Transistorkanal und ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit…

InP-HBT-Transceiver

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Entwurf elektronischer Komponenten & Module Das FBH zielt darauf kompakte hoch-performante InP MMIC-Transceiver bis zu Terahertz-Frequenzen bereitzustellen. Wir beschäftigen uns mit MMIC-Chipentwurf…

Elektromagnetische Simulation

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Berechnung von elektromagnetischen Feldern.

Radar-Detektoren

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Als Teil des Innovationscampus Elektronik und Mikrosensorik Cottbus (iCampus) entwickeln wir gemeinsam mit der BTU Cottbus-Senftenberg, dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik und dem…

Digitale Transmitter

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Am FBH werden sowohl neue Verstärkerstrukturen entwickelt als auch schon vorhandene verwendet, um Leistungsverstärker-ICs und -Module für den Mikrowellenbereich herzustellen. Unter anderem werden…