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OpTecBB-Vorstand mit großer Mehrheit bestätigt
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Die Mitgliederversammlung des Kompetenznetzes OpTecBB hat seinen Vorstand mit großer Mehrheit bestätigt. Vorstandsvorsitzender wurde erneut Günther Tränkle vom Ferdinand-Braun-Institut; neu im…
Sensorstreifen für neuartige Röntgendetektoren
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Erst kürzlich hat das FBH eine neue Generation direkt wandelnder Zeilensensoren erfolgreich demonstriert. GaAs-Sensoren wandeln dabei Röntgenphotonen mit einer lateralen Auflösung von 100 µm je…
Vielfältige Karrierewege - spannende Berufsperspektiven
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Infos zur Ausbildung in der Mikrotechnologie auf den Bildungsmessen Einstieg Abi und Parentum in Berlin.
Energieeffizienz durch Mikrosystemtechnik - Jetzt anmelden und weiterbilden!
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Die 6. ZEMI Summerschool zeigt die Potenziale der Mikrosystemtechnik für die Energieerzeugung, -verteilung und -nutzung anhand konkreter Anwendungen. Interessierte können sich bis zum 19.08.2011…
MNE 2011 in Berlin
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Branchentreff der Prozesstechnologie - 37. Internationale Konferenz Micro and Nano Engineering.
Miniaturisierte Diodenlaser mit externem Resonator, die bei 633 nm emittieren – ideale Quellen für die absolute Abstandsinterferometrie und Atomspektroskopie
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Für interferometrische Messung und die Atomspektroskopie wurde am FBH ein mikrointegrierter durchstimmbarer Diodenlaser im externen Resonator (ECDL) mit einem reflektierenden Volumen-Bragg-Gitter…
GaN-HFETs mit hohen Strömen und hoher Durchbruchspannung mit Si-dotierter AlGaN-Barriere unter dem Kanal
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Mit einer dünnen n-dotierten AlGaN-Schicht unter dem Kanal konnten FBH-Wissenschaftler das Verhältnis von Einschaltwiderstand zu Durchbruchspannung bei GaN-HFETs deutlich verbessern.
OpTecBB begrüßt sein 100. Mitglied
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Mit dem renommierten Technologieunternehmen First Sensor AG begrüßt OpTecBB sein 100. Mitglied. Das Kompetenznetz Optische Technologien ist zugleich das mitgliederstärkste Netzwerk für…
AlN-Schichten mit geringer Defektdichte für UV-Leuchtdioden
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Dem FBH ist es gelungen, durch laterales Überwachsen von strukturierten AlN-Schichten die Versetzungsdichte im AlN um mehr als eine Größenordnung zu reduzieren. Damit können Schichten mit einer…
Neuer THz On-Wafer-Messplatz erlaubt Messungen von Frequenzen bis 500 GHz
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Das FBH hat ein neues halbautomatisches System zur On-Wafer-Charakterisierung für 500-GHz-Messungen beschafft. Das Messgerät bietet damit beste Voraussetzungen für die On-Wafer-Charakterisierung im…