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AlGaN/GaN-Mikrowellentransistoren: Gezielte Optimierung von Linearität und Wirkungsgrad
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Die Linearität von AlGaNGaN-Heterojunction-Feldeffekttransistoren ist eine der Schlüsseleigenschaften, die diese Bauelemente für den Einsatz in Hochfrequenzschaltkreisen moderner…
THz-Spektroskopie mit cw-Strahlungsquellen
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THz-Spektroskopie mit cw-Strahlungsquellen Prof. Dr. Heinz-Wilhelm HübersDeutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR), BerlinInstitut für Planetenforschung 18.02.2011
Wirkungsgradverbesserung von Leistungsverstärkern
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Wirkungsgradverbesserung von Leistungsverstärkern Prof. Reinhard KnöchelUniversität Kiel 11.02.2011
THz-Sensorik und -Bildgebung mit CMOS-Transistoren
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THz-Sensorik und -Bildgebung mit CMOS-Transistoren Prof. Hartmut RoskosGoethe-Universität Frankfurt/Main 04.02.2011
Hochleistungsdiodenlaserverstärker
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Hochleistungsdiodenlaserverstärker Xiaozhuo WangFerdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 26.11.2010
Forschungspotenziale identifizieren durch effiziente Patentrecherche
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Dr. Kirk Haselton ipal GmbH, Berlin
3. Statusseminar der InnoProfile-Gruppe
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Ein Schwerpunkt des Seminars ist die Übertragung des Konzeptes für Lasersysteme im Wattbereich mit Frequenzverdopplung von 488 nm auf andere Wellenlängen.
Erhöhung der Konversionseffizienz bei der Frequenzverdopplung von Diodenlasern
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Erhöhung der Konversionseffizienz bei der Frequenzverdopplung von Diodenlasern Daniel JedrzejczykFerdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 03.12.2010
Photolumineszenz an InGaN-Quantenfilmen
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Photolumineszenz an InGaN-Quantenfilmen Dr. Carsten NetzelFerdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 14.01.2011
Neue Anlage zur Herstellung hochwertiger Siliziumnitridschichten
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Mit der SI500D der Firma Sentech Instruments steht dem FBH eine neue Anlage zur plasmachemischen Abscheidung von Siliziumnitrid zur Verfügung, die die Möglichkeiten auf diesem Gebiet deutlich…