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Suchergebnisse 1781 bis 1790 von 1807

Weltweit erste Klasse-S-Leistungsverstärker für den Mikrowellen-Bereich

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In der Mobilkommunikation rückt der Energieverbrauch von Basisstationen zunehmend  in den Fokus. Daher wird an Konzepten für hochefiiziente Leistungsverstärker intensiv geforscht. Erst…

Laserdioden: Von Violett nach Blau

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Das Interesse an Lasern, die im violetten oder blauen Spektralbereich emittieren ist groß, etwa für Anwendungen in der Atomspektroskopie. Daher arbeitet das FBH an der Realisierung…

Druckfrisch: frequent 02_2010 zum Thema Hochleistungsdiodenlaser

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Die aktuelle frequent zum Hochleistungsdiodenlaser ist soeben erschienen. Sie bietet einen Überblick über verschiedene leistungsstarke Lichtquellen, die das FBH vom Chip bis zur Pilotserie…

Krümmungssensor: unverzichtbar und preisgekrönt

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Eine Schwierigkeit bei der Herstellung von GaN-Bauelementen darin, dass sich die Halbleiterscheiben, auf denen sie entstehen, stark durchbiegen und die Schichtstrukturen teils sogar reißen. Ziel…

FBH auf der RadioTecC

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Besuchen Sie uns auf dem HF-Branchentreffpunkt RadioTecC - wir sind dort mit zwei Vorträgen zu GaN Leistungsbauelementen und HF-Leistungsverstärkern vertreten.

Reif für die Industrie

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Schnelle, leistungsstarke und energieeffiziente Bauelemente werden in der drahtlosen Kommunikation, als Werkzeuge für Materialbearbeitung und Sensorik aber auch in den besonders…

Photonic Bandgap Crystal Laser

/termine/photonic-bandgap-crystal-laser

Photonic Bandgap Crystal Laser Kristijan PosilovicTU Berlin 19.11.2010 (in Englisch)

Atmosphärische Plasmaquelle – erste Pilotserie

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Am FBH wurde zusammen mit der Aurion Anlagentechnik eine neue Mikrowellen-Plasmaquelle für den Betrieb bei Atmosphärendruck entwickelt. In die Quelle ist der Mikrowellenoszillator integriert, der als…

Neue Elektronenstrahl-Belichtungsanlage am FBH

/forschung/forschungsnews/neue-elektronenstrahl-belichtungsanlage-am-fbh

Die neue Formstrahl-Anlage SB251 erlaubt Belichtungen höchster Präzision und ist eines der zentralen Geräte für die State-of-the-Art-Bauelementeentwicklung am FBH.

Selbstsperrende GaN-Hochspannungstransistoren für die Leistungselektronik

/forschung/forschungsnews/selbstsperrende-gan-hochspannungstransistoren-fuer-die-leistungselektronik

Neuartige GaN-Leistungstransistoren des FBH bieten bis zu 1000 Volt Durchbruchfestigkeit. Zusätzlich können sie nur durch das Anlegen einer positiven Steuerspannung von mehr als 1 V geöffnet…